专利名称：薄膜晶体管、电光学装置、以及电子仪器专利类型：发明专利发明人：小林洋介
申请号：CN200510114134.7申请日：20051018公开号：CN1763976A公开日：20060426
摘要：本发明提供用液相法形成、具备优良的动作可靠性同时可高利用率地制造的薄膜晶体管。该薄膜晶体管是具备用液相法形成的电极构件的薄膜晶体管，上述电极构件都备有层叠由金属材料构成的阻挡层和基体层的层叠结构，构成上述阻挡层的金属材料由选自Ni、Ti、W、Mn之中的1种或者2种以上的金属材料构成。例如，TFT(薄膜晶体管)(60)具备：具有阻挡金属膜(61a)(阻挡层)和源电极膜(66)(基体层)的层叠结构的源电极(34)、具有阻挡金属膜(61a)(阻挡层)和漏电极膜(67)(基体层)的层叠结构的漏电极(35)。
申请人：精工爱普生株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：李香兰
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