一种制备非晶二氧化硅纳米管的方法[发明专利]

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专利名称：一种制备非晶二氧化硅纳米管的方法专利类型：发明专利

发明人：武立立,张喜田,孙道彬,啜慧心申请号：CN2014103585.8申请日：20140724公开号：CN104108719A公开日：20141022

摘要：一种制备非晶二氧化硅纳米管的方法，涉及纳米材料制备技术领域。是为了实现了非晶二氧化硅纳米管的少耗时、少污染的低成本制备。其方法：首先将单晶硅片衬底清洗干净并烘干，利用离子溅射仪在硅片表面溅射一层金膜作为催化剂，然后将承载硫化锌粉末和硅衬底的刚玉舟放到水平管式炉中，密封管式炉，通入高纯惰性气体作为载气，冲洗掉生长室内的残余空气；最后将惰性气体流速控制在30sccm～300sccm，生长室内压强保持在80Pa～1000Pa，使管式炉升温至合成温度1100℃～1200℃，并保持恒温0.2～1小时，反应结束后使管式炉自然冷却至室温。本发明适用于制备非晶二氧化硅纳米管。

申请人：黑龙江科技大学

地址：150027 黑龙江省哈尔滨市松北区浦源路2468号

国籍：CN

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