专利名称：被动调Q单纵模激光器专利类型：实用新型专利发明人：励盼攀
申请号：CN201420393693.0申请日：20140711公开号：CN204012176U公开日：20141210
摘要：本实用新型涉及一种被动调Q单纵模激光器，包括激光二极管(1)、第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)、激光晶体(4)、被动调Q晶体(5)和耦合器(6)，所述第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)依次设置在所述激光二极管(1)和激光晶体(4)之间，所述激光晶体(4)与被动调Q晶体(5)并列设置，所述被动调Q晶体(5)设置在激光晶体(4)和耦合器(6)之间。本实用新型提供的被动调Q单纵模激光器利用缩短腔长增加纵模间隔从而获得单纵模输出，得到单纵模连续的种子源结合主振荡放大器法获得大能量的输出，经过Q调制获得脉冲单纵模激光。
申请人：励盼攀
地址：315725 浙江省象山县东陈乡旦门村双农1组59号
国籍：CN
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