一种提高GaN紫外探测器光开关频率的方法[发明专利]

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专利名称：一种提高GaN紫外探测器光开关频率的方法专利类型：发明专利

发明人：仇志军,叶怀宇,张国旗申请号：CN201910969076.8申请日：20191012公开号：CN1107293A公开日：20200124

摘要：本发明公开了一种提高GaN紫外探测器光开关频率的方法，包括：1)Si衬底上生长外延层；2)在探测器上淀积SiO纳米颗粒；3)刻蚀Si衬底底部形成凹槽；4)红外线照射探测器。在探测紫外光的同时，采用红外照射的方法加热探测器以辅助光开关响应测试。首先，本发明利用载流子热激发和红外激发的作用，降低陷阱中心对光生载流子的俘获几率，加速光生载流子的直接跃迁复合，以此提高探测器的光响应速度；其次，本发明能够适用于多种结构光伏型GaN紫外探测器，有助于探测器能够实现快速、高灵敏度的紫外光探测。

申请人：深圳第三代半导体研究院

地址：518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼

国籍：CN

代理机构：北京中知法苑知识产权代理有限公司

代理人：阎冬

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