新型硅压阻式压力感测元件及其制造方法[发明专利]

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专利名称：新型硅压阻式压力感测元件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：龚诗钦,王宏达申请号：CN02101658.5申请日：20020114公开号：CN1433094A公开日：20030730

摘要：本发明是有关于一种不需温度补偿电路，每边需要三条压阻情况下的半导体压力感测元件及其制造方法，特征是：其压阻掺杂浓度约在10－10cm，以减小温度的影响；压阻之间的导线(称为内连接导线)以受应力最小的方向制作高掺杂连接导线(约10cm)。而在将压阻连接至外部惠斯登电桥电路的连接线路部分(称为外连接线路)，靠膜片内侧的一端同样制作在受应力最小的方向上，而靠膜片边缘一端的导线，则以垂直膜片的直条导线导出至外部电路，如此可使惠斯登电桥的四个电阻平衡对称，故可降低因电桥阻值差异所造成的零点漂移，以简化讯号处理电路。

申请人：亚太优势微系统股份有限公司

地址：省台北市信义区信义路五段150巷2号7楼之4

国籍：CN

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

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