脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法[发明专利]

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专利名称：脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方

法

专利类型：发明专利

发明人：王瑾,郑新和,刘三姐,侯彩霞,何荧峰,李美玲申请号：CN2016109366.8申请日：20161101公开号：CN1065008A公开日：20170315

摘要：本发明提供一种脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法，属于半导体工艺领域。该方法通过对GaN样品进行刻蚀，形成P‑GaN有源区脊条，在不进行去胶步骤的情况下直接使用ALD沉积一层Al薄层；再沉积一层SiO；然后剥离光刻胶，使全部被刻蚀露出的表面与SiO层之间都镀上一层Al薄层；最后，重复以上标准光刻步骤进行N型区域开窗以及镀扩展电极等工艺操作。该方法可以有效修复因刻蚀引入的表面损伤和刻蚀之后表面附着的O元素对于电子和空穴复合的影响，氧化形成的氧化层还能保护P‑GaN部分，有效提高激光器性能与寿命。

申请人：北京科技大学

地址：100083 北京市海淀区学院路30号

国籍：CN

代理机构：北京市广友专利事务所有限责任公司

代理人：张仲波

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