第１１卷，第４期 Ｖｏ１１１．电子与封装 ，ＮＯ４ ．ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ＆ＰＡＣＫＡＧＩＮＧ 总第９６期 ２０１ １年４月 微 电、子 嗣 造 与 可 、靠，性 有机薄膜器件电流机制的研究 木 杨涛 ，马敏辉 ，黎威志 ，王军 （１．成都大学实验技术中心，成都６１Ｏ１０６；２．中国电子科技集团公司第５８研究所，江苏无锡２１４０３５； ３．电子科技大学光电信息学院，成都６１００５４） 摘要：对于有机薄膜器件（包括有机电致发光器件（ＯＬＥＤ）和有机场效应晶体管（ＯＴＦＴ）），器 件的电流机制直接决定了器件的性能，因此深刻理解其相关机理是十分必要的。虽然对于有机薄 膜器件的电学性能研究较早，但是由于器件结构及有机薄膜内部影响机制的复杂性使得不同学者 的研究结果很不一致。为此，文章以相同的镁银合金（ＭｇＡｇ）为电极，有机电子传输及发光材 料八羟基喹啉铝（Ａｌｑ ）为有机功能层，深入研究了ＭｇＡｇ／Ａｌｑ ／ＭｇＡｇ器件的电流机制。测试及拟 合结果表明，该器件为单电子器件，器件的电流属陷阱电荷限制电流机制。不同温度下的测试结 果表明，随着温度增加器件电流迅迷增加，这是因为随温度增加，器件中载流子的浓度和迁移率 呈指数上升。 关键词：有机薄膜器件；电流机制；陷阱电荷限制；空间电荷限制 中图分类号：ＴＮ３８３．１ 文献标识码：Ａ 文章编号：１６８１－１０７０（２０１ １）０４．００３９．０４ Ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅ ＹＡＮＧＴａｏ ，ＭＡＭｉｎ—ｈｕｉ ，ＬＩＷｅｉ－ｚｈｉ ３ ＷＡＮＧ Ｊｕｎ （１．Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｅｒ ｏｆＣｈｅｎｇｄｕ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｅｎｇｄｕ ６１０１０６，Ｃｈｉｎａ；２．Ｃｈｉｎａ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ｎｏ．５８ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｗｕｘｉ ２１４０３５，Ｃｈｉｎａ；３．Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ，Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆＣｈｉｎａ，Ｃｈｅｎｇｄｕ ６１００５４，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｆｏｒ ｏｒｇａｎｉｃ ｔｈｉｎ ｉｆｌｍ ｄｅｖｉｃｅｓ（ＯＴＦＤ），ｓｕｃｈ ａｓ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ（ＯＬＥＤ）ａｎｄ ｏｒｇａｎｉｃ ｔｈｉｎ ｉｆｌｍ ｔｒｉｏｄｅ（ＯＴＦＴ），ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｕｒｒｅｎｔ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆｄｅｖｉｃｅｓ ｇｏｖｅｒｎｓ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆｄｅｖｉｃｅｓ，ａｓ ａ ｒｅｓｕｌｔ， ｉｔ ｉｓ ｉｎｅｖｉｔａｂｌｅ ｔｏ ｕｎｄｅｒｓｔａｎｄ ｔｈｅ ｒｅｌａｔｉｖｅ ｔｈｅｏｒｙ．Ａｌｔｈｏｕｇｈ ｔｈｅｒｅ ｈａｖｅ ａｌｒｅａｄｙ ｂｅｅｎ ｌｏｔｓ ｏｆ ｒｅｐｏｒｔｓ ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ＯＴＦＤ，ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｏｆｔｈｅｍ ｄｅｖｉａｔｅ ｆｒｏｍ ｅａｃｈ ｏｔｈｅｒ ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅ ｃｏｍｐｌｅｘｉｔｙ ｏｆ ｄｅｖｉｃｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｉｎｔｅｒｎａｌ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ ｏｒｇａｎｉｃ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ．Ｉｎ ｔｈｉｓ ｓｔｕｄｙ，ｂｙ ｕｓｉｎｇ ｍａｇｎｅｓｉｕｍ—ｓｉｌｖｅｒ ａｌｌｏｙ（ＭｇＡｇ）ａｓ ｂｏｔｈ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ ａｎｄ ８－ｈｙｄｒｏｘｙ ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ（Ａｌｑ ），ｗｈｉｃｈ ｗａｓ ｗｉｄｅｌｙ ａｐｐｌｉｅｄ ａｓ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｅｒ ａｎｄ ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｅｒ，ａｓ ｏｒｇａｎｉｃ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｌａｙｅｒ，ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｕｒｒｅｎｔ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ ｓａｎｄｗｉｃｈ ｄｅｖｉｃｅ ｏｆ ＭｇＡｇ／Ａｌｑ ／ ＭｇＡｇ ｗａｓ ｓｔｕｄｉｅｄ．Ｔｈｅ ｍｅａｓｕｒｅｄ ａｎｄ ｆｉｔ ｒｅｓｕｌｔｓ ｉｎｄｉｃａｔｅ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｄｅｖｉｃｅ ｉｓ ｅｌｅｃｔｒｏｎ—ｏｎｌｙ ｄｅｖｉｃｅ．ｗｈｉｌｓｔ ｄｅｖｉｃｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｏｂｅｙｓ￣ａｐｐｅｄ ｃｈａｒｇｅ ｌｉｍｉｔｅｄ ｃｕｒｒｅｎｔ（ＴＣＬＣ）ｍｅｃｈａｎｉｓｍ．Ｉｎ ａｄｄｉｔｉｏｎ，ｄｅｖｉｃｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｉｎｃｒｅａｓｅｓ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｏｆ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，ｗｈｉｃｈ ｉｓ ａｔｔｒｉｂｕｔｅｄ ｔｏ ｔｈｅ ｆａｃｔ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ａｎｄ ｍｏｂｉｌｉｙ ｔｏｆ ｃａｒｒｉｅｒｓ ｈａｖｅ ａｎ ｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌ ｒｅｌａｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ｎｅｇａｔｉｖｅ ｒｅｃｉｐｒｏｃａｌ ｏｆ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｏｒｇａｎｉｃ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｄｅｖｉｃｅ；ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｕｒｒｅｎｔ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ；￣ａｐｐｅｄ ｃｈａｒｇｅ ｌｉｍｉｔｅｄ；ｓｐａｃｅ ｃｈａｒｇｅ ｌｉｍｉｔｅｄ 收稿日期：２０１ Ｉ－０２．２１ 基金项目：国家自然科学基金资助项目（编号：６１００６０３６） ．３９． 第１ １卷第４期 电子与封装 １ 引言 ２ 实验 ２０世纪９ｏ年代，普林斯顿大学的Ｂｕｒｒｏｗｓ等人【Ｉ ＇］ 选用表面平整的玻璃基片以及方阻为～１０（】／口 第一次详细报道了在有机薄膜器件一一双层有机电 的ＩＴＯ玻璃基片，分别用洗涤剂、乙醇及去离子水 致发光器件（ＯＬＥＤ）——氧化铟锡（ＩＴＯ）／ＴＰＤ／Ｍｑ 超声清洗，用干燥氮气吹干后放入ＯＬＥＤ．Ｖ型多功能 （Ｍ＝ＡＩ，Ｇａ，Ｉｎ）／镁银合金（ＭｇＡｇ）中的电流 有机成膜设备进行氧等离子体预处理溅射清洗，基 电压特性与厚度和温度的依赖关系。其中，ＴＰＤ为 片预处理结束待冷却至室温后移人镀膜室；分别在 联苯胺类化合物空穴传输材料，Ｍｑ 为八羟基喹啉 ＜４×１０ Ｐａ和＜３×１０。Ｐａ条件下进行有机薄膜Ａｌｑ３ 金属螯合物电子传输材料。从实验结果中他们发现 与金属电极ＭｇＡｇ的蒸镀，蒸发速率分别控制为～ 电流密度与电压成如下的幂指数关系：Ｊ— ¨（ ＞ ０．１ ｎｍ／ｓ和～１ ｎｍ／ｓ。薄膜厚度及蒸发速率由Ｐｒｏｔｅｃｋ １），据此得出结论在器件中的电流传导过程是陷阱 ９ １ ００型膜厚仪监控，各器件的有效面积为Ｏ．２５ ｃｍ ， 电荷限制的（ｔｒａｐｐｅｄ ｃｈａｒｇｅ ｌｉｍｉｔｅｄ，ＴＣＬ），而有机 在高低温实验箱中采用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ４２００ＳＣＳ半导体测试 层内陷阱能级按指数关系分布且其特征能量为 系统以及ＳＴ－８６ＬＡ屏幕亮度计测试电流一电压及亮 ０．１５ｅＶ。 度一电压特性，温度测试范围为２９３ Ｋ～３９３Ｋ。 基于他们的发现，Ｓｈｅｎ等人对单载流子和双载 我们制备了结构为ＭｇＡｇ（１００ ｎｍ）／Ａｌｑ，（７０ ｎｍ）／ 流子器件的陷阱电荷限制电流（ＴＣＬ ｃｕｒｒｅｎｔ，ＴＣＬＣ） ＭｇＡｇ（１０ ｎｍ）的单层器件，其中的１０ｎｍ ＭｇＡｇ电极 做了数学推导【 ．４】，而Ｓｔｏｂｅｌ［ 等人也报道了他们在 呈半透明以观察器件可能出现的发光。 Ｍｇ／Ａｌｑ，／氟化锂（ＬｉＦ）／Ａ１器件中观察到ＴＣＬＣ，且 臣＝Ｏ．１ ｌｅＶ。德国的Ｗ．Ｂｒｕｔｔｉｎｇ等人亦采用该模型推 ３ 结果与讨论 导得到陷阱能级位于０．２ ｅＶ处，不过他们后来又发 现电流对厚度的依赖关系并不符合ＴＣＬＣ模型的预 图１给出了器件在不同温度下的电流一电压关 ／￣ｌｌ［ ，因此他们置疑该模型的根本缺陷在于是根据 系特性曲线，图２为Ａｌｑ 的分子结构。 能带传输模型而不是跳跃传输模型得来的。此外， 从图ｌ中可以看出，温度对于器件电流有显著 该模型还假定了载流子迁移率是恒定的，而这一点 影响：随着温度升高，相同电压下器件电流迅速增 对于有机半导体器件是不成立的。因为大量的实验 加，如当Ｖ＝ＩＯＶ时，２９３ Ｋ时器件电流为０．０８５Ａ，而 数据和理论推导都证明，在无序分子或聚合物材料 ３９３ Ｋ时器件电流变化为０．３５６Ａ，几乎是前者的４倍。 中载流子迁移率是随外加电场和温度变化的 】。 另～方面，Ｂａｒｔｈ等人发现他们的ＡＩ／ＡＩｑ ／ＭｇＡｇ器 件中的电流一电压特性是注入限制（ｉｎｊ ｅ ｃｔｉｏｎ ｌｉｍｉｔｅｄ）的，注入能垒为０．５ｅＶｔ“］。Ｃａｍｐｂｅｌｌ等人也 报道了在器件Ｃａ／Ａｌｑ ／Ｃａ中电流是注入限制的，注 入能垒为０．６ ｅＶ［ 】。 尽管如上所述，由于有机薄膜器件中电流影响 因素的复杂性，ＴＣＬＣ理论并不能完全描述有机薄膜 器件电流机制。但是，相对于热电子发射（ｔｈｅｒｍｉｏｎｉｃ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）［ｎ】、电极隧穿（ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ ｆｒｏｍ ｃｏｎｔａｃｔ）等 图１器件在不Ｉ司温度下的电流一电压关系 其他关于有机薄膜器件的理论来说，ＴＣＬＣ理论相对 值得注意的是在整个测试过程中，我们始终没 比较完整地描述出了在多数有机薄膜器件中观察到 有观察到器件的发光，这证明该器件的确为单电子 的实验现象，特别是其电流一电压特性。因此，本 载流子器件，而相同电压下器件电流随温度的增加 文基于ＴＣＬＣ理论研究了单层ＯＬＥＤ器件ＭｇＡｇ／Ａｌｑ ／ 是来自电子载流子的贡献而非空穴。对于有机薄膜 ＭｇＡｇ的电流机制，同时着重考察了温度对其电流 器件，电流随温度的增加可能有以下几个原因： 机制的影响规律。 （１）与无机半导体类似，有机层Ａｌｑ 内的本征 ．．４０．． 第１ ｌ卷第４期 杨 涛，马敏辉，黎成志，等：有机薄膜器件电流机制的研究 载流子浓度满足关系式： 图２ Ａｌｑ 分子结构 Ｆ Ｆ 、 ０：ＮＬｕＭｏｅｘＰｌ一兰 凡０ ：—竺旦。／ Ｉ（１） 其中Ｊｖ 。为Ａｌｑ，的ＬＵＭＯ带有效状态密度， Ｍ。为Ａｌｑ 的ＬＵＭＯ能级， 为准费米能级， 为 玻尔兹曼常数。 假设Ⅳ Ｍ。不随温度变化，则载流子浓度随温 度的增加按ｅｘｐ（１／ ）增加。因此对于低电压区域 ＯＬＥＤ器件电流与电压满足Ｊ＝ｑ ｔ／０Ｖ／ｄ，可知器件 电流亦随温度增加而增加。 （２）对于无定形有机半导体材料，载流子（包 括电子和空穴）的迁移率与温度和电场相关［７－１ ０］，它 们存在以下关系式： ， ）＝ 。ｅｘＰＩ Ｙ 一 Ｉ （２） 其中 和Ｙ为比例系数，△为材料载流子激 活能，都是只与材料相关的参数，而器件电流与载 流子迁移率成正比。因此，器件电流同样随温度增 加而增加。 （３）若器件电流为电极注入限制的热电子发射 机制，则电流与电压及温度满足如下关系式： … （－ｑ ＋ｂｌ［唧㈦一・ Ｉ㈩ 其中 为有效Ｒｉｃｈａｒｄｓｏｎ常数， 为电子注入 势垒。根据（３）式，器件电流也随温度增加而增加。 对于这里的单电子载流子器件，我们只能排除 第三种可能性，因为器件ＭｇＡｇ／Ａｌｑ ／ＩＴＯ的电流是 由ＴＣＬＣ或ＳＣＬＣ决定的体限制电流，而该单电子载 流子器件只是将注入少量空穴的ＩＴＯ电极改变为抽 取电子的ＭｇＡｇ电极，不应该影响到整个器件的电 流特性（下面的分析表明ＭｇＡｇ／Ａｌｑ ／ＭｇＡｇ单电子 载流子器件电流机制的确与Ａｌｑ 单层器件一致，即 满足ＴＣＬＣ电流机制）。因此定性地说，对于相同电 压下器件ＭｇＡｇ／Ａｌｑ ／ＭｇＡｇ的电流是随温度的增加 而增加的，其主要原因是因为电子迁移率及浓度与 温度倒数呈负指数关系。 简单说来（详细内容请参考［１～２］），ＴＣＬＣ理论 所描述的ＯＬＥＤ器件电流（ ） 电压（Ｖ）关系为： 随着电压的增加，器件的 一 关系逐渐经历了三个 阶段一一低电压时的欧姆电流机制，较高电压时的 陷阱电荷限制电流机制以及高电压时的空间电荷限 制电流（ＳＣＬＣ）机制。即整个器件的电流一电压关 系如下面三式所表达： ｆ ｌｎ，ｎ ｌｎＶ ｛１Ｉ ｌｎ ｃＬｏ，２１ ｃＬｏｃ（ｍ＋１ｎＶ ）ｌｎＶ（ｍ Ｔ，／ ＞１） （一 ４１ 因此，为考察温度对单电子器件电流机制的影 响，我们在对数坐标下对器件电流一电压关系进行 了线性拟合，结果如图３所示。 图３对数坐标下图１中数据的线性拟合结果 从图中可以明显看出，不同温度下器件的电流 电压关系由两部分组成：低电压区域各拟合直线 斜率为（低温到高温）：１．２０、１．１９、１．１８、０．９１、１．０７， 各直线斜率均在１上下，可以认为低电压区各器件 电流机制基本上遵从欧姆电导机制；高电压区各拟 合直线斜率为（低温到高温）：６．３４、６．０５、５．８０、５．３２、 ５．０４，很好地符合ＴＣＬＣ理论的预测：电流随电压呈 较高幂指数关系变化。在所测试的电压范围，器件 电流未从ＴＣＬ过渡到ＳＣＬ阶段，表明有机薄膜内的 陷阱一直未被载流子填满。 同时我们看到，随着温度的升高，各器件ＴＣＬＣ 与电压的幂指数逐渐变小。考虑到（４）式中，幂指 数与温度存在倒数关系：ｍ＝Ｔｔ／Ｔ（ 为陷阱分布特征 温度），这样按照拟合结果做出 ～１／Ｔ关系可以进一 步检验ＴＣＬＣ的正确性。根据拟合数据得到如图４所 示的坐标图。 从图４可以看出，ｍ的确与１／Ｔ呈较好的比例关 ．４１— 第１ １卷第４期 电子与封装 系，从而进一步验证了ＴＣＬ电流的正确性。从图４ １９９６．７９：７９９ｌ－８００６． 我们可得到Ａｌｑ，中的陷阱分布特征温度 １９８０Ｋ， 【３ １ Ｓｈｅｎ Ｊｕｎ，Ｙａｎｇ Ｊｉｅ，Ｐｈｙｓｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｓｍｓ ｉｎ ｄｏｕｂｌｅ－ｃａｒｒｉｅｒ 与Ｂｕｒｒｏｗｓ等人报道的结果［２】一致。 １０ １／Ｔ（１ｏ Ｋ－ 图４根据拟合结果得到的ｍ￣ｌ／Ｔ关系 我们在图３中还注意到，在电压较低时，器件电 流反而随温度上升而下降，其可能原因是：温度越 高，有机材料的品格振动越强烈，加大了对载流子的 散射作用，使得器件电流随温度升高有所降低。不过 随着电压的升高，注入载流子的增加急剧补偿了品 格散射对电流的减小，所以当电压进入ＴＣＬＣ区域后 这种散射作用便可以忽略掉，反映到电流一电压关 系即是高温时器件电流明显大于低温时器件电流。 ４ 结论 对于我们所研究的ｏＬＥＤ器件ＭｇＡｇ／Ａｌｑ，／ ＭｇＡｇ，ＴＣＬＣ理论很好地描述了器件的电流机制，且 器件为单电子电流器件。随着温度的升高器件电流 迅速增加，因为器件的电子载流子浓度和迁移率与 温度倒数呈负指数关系。通过不同温度下对电流一 电压关系幂指数ｍ的拟合结果表明，Ａｌｑ 中的陷阱 分布特征温度 １ ９８０Ｋ，与文献报道的结果吻合。 致谢：本项目受国家自然科学基金资助；感谢 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 提供的器件制备及测试条件。 参考文献： 【１】Ｂｕｒｒｏｗｓ Ｐ Ｅ，Ｆｏｒｒｅｓｔ Ｓ Ｒ，Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｆｒｏｍ ｔｒａｐ— ｌｉｍｉｔｅｄ ｃｕｒｒｅｎｔ ｒｔａｎｓｐｏｒｔ ｉｎ ｖａｃｕｕｍ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９４，６４：２２８５・２２８７． 【２】Ｂｕｒｒｏｗｓ Ｐ Ｅ，Ｓｈｅｎ Ｚ，Ｂｕｌｏｖｉｃ Ｖ，ｅｔ ａ１．．Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ ｂｅ— ｔｗｅｅｎ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｎａｄ ｃｕｒｒｅｎｔ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ］．Ｊ．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ． ．４２． ｔｒａｐ—ｃｈａ￣ｅ ｌｉｍｉｔｅｄ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕ＝ ｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｅｖｉｃｅｓ：Ａ ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ｓｔｕｄｙ［Ｊ］．Ｊ．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ． １９９８，８３：７７０６－７７１４． 【４】Ｙａｎｇ Ｊｉｅ，Ｓｈｅｎ Ｊｕｎ，Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆｄｉｓｃｒｅｔｅ ｔｒａｐ ｌｅｖｅｌｓ ｏｎ ｏｒ ｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ【Ｊ】．Ｊ．Ａｐｐ１．Ｌｅｔｔ．１９９９，８５：２６９９— ２７０５． 【５】Ｓｏｂｅｌ Ｍ，Ｓｔａｕｄｉｇｅｌ Ｊ，Ｓｔｅｕｂｅｒ Ｆ，ｅｔ ａ１．．Ｓｐａｃｅ—ｃｈａｒｇｅ・ｌｉｍ－ ｉｔｅｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｃｕｒｒｅｎｔｓ ｉｎ ８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ【Ｊ】． Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２０００，７６：Ｉｌ ５－ｌ１ ７． ｆ６】Ｂｅｒｌｅｂ Ｓ，Ｍｕｃｋｌ Ａ．Ｂｒｕｔｔｉｎｇ Ｇ．， Ｓｃｈｗｏｅｒｅｒ Ｍ．．Ｔｅｍ— ｐｅｒａｔｕｒｅ ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ｄｅｖｉｃｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ： ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ】．Ｓｙｎｔ．Ｍｅｔ．２０００，ｌ１ ｌ－１ １２：９１－９４． 【７】Ｓｃｈｅｉｎ Ｌ．Ｂ，Ｐｅｌｅｄ Ａ，Ｇｌａｔｚ Ｄ，Ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｉｆｅｌｄ ｄｅｐｅｎ— ｄｅｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｉｎ ｍｏｌｅｃｕｌａｒｌｙ ｄｏｐｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒ［Ｊ１．Ｊ． Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．１９８９，６６：６８６－６９２． 【８】ＧａｒｔｓｔｅｉｎＹｕ．Ｎ，ＣｏｎｗｅｌｌＥＭ，Ｈｉｇｈ—ｉｆｅｌｄｈｏｐｐｉｎｇｍｏｂｉｌ－ ｉｔｙ ｉｎ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｓｙｓｔｅｍｓ ｗｉｔｈ ｓｐａｔｉａｌｌｙ ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ ｅｎｅｒ－ ｇｅｔｉｃ ｄｉｓｏｒｄｅｒ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ １９９５，２４５：３５１－３５８． ［９】Ｇｉｌｌ Ｗ Ｄ．Ｄｒｉｆｔ ｍｏｂｉｌｉｔｉｅｓ ｉｎ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｃｈａｒｇｅ—ｔｒａｎｓｆｅｒ ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ ｏｆｔｒｉｎｉｔｒｏｆｌｕｏｒｅｎｏｎｅ ａｎｄ ｐｏｌｙ－ｎ－ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ ［Ｊ］．Ｊ．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．１ ９７２，４３：５０３３－５０４０． ［１ ０】Ｄｕｎｌａｐ Ｄ Ｈ，Ｐａｒｒｉｓ Ｐ Ｅ，Ｋｅｎｋｒｅ Ｖ Ｍ．Ｃｈａｒｇｅ－ｄｉｐｏｌｅ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｕｎｉｖｅｒｓａｌ ｆｉｅｌｄ ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ ｏｆ ｍｏｂｉｌｉｔｉｅｓ ｉｎ ｍｏｌｅｃｕｌａｒｌｙ ｄｏｐｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒｓ［Ｊ】．Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．１ ９９６， ７７：５４２．５４５． 【ｌｌ１ Ｂａｒｔｈ Ｓ，ＷｏｌｆＵ，Ｂａｓｓｌｅｒ Ｈ．Ｃｕ￣ｅｎｔ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｆｒｏｍ ａ ｍｅｔａｌ ｔｏ ａ ｄｉｓｏｒｄｅｒｅｄ ｈｏｐｐｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍ．Ⅲ．Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ ｂｅ・ ｔｗｅｅｎ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ ａｎｄ Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ［Ｊ】．Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ．Ｂ １９９９，６０：８７９１—８７９７． 【ｌ２】Ｃａｍｐｂｅｌｌ Ｉ Ｈ，Ｓｍｉｔｈ Ｄ Ｌ．Ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｅｎｅｒｇｙ ｂａｒｒｉｅｒｓ ｎａｄ ｃｈａｒｇｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｉｎ ｍｅｔａｌ／Ａｌｑ／ｍｅｔａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐ１． Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９，７４：５６１－５６３． ［１ ３】Ｓｚｅ Ｓ Ｍ，Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ，２ ｅｄ［Ｍ］． Ｗｉｌｅｙ，Ｎｅｗ ３（０ｒｋ，１９８２． 作者简介： 杨涛（１９６９～），男，云南剑川 人，白族，电子科技大学硕士，工程师， 主要从事电子材料和智能测控方向的 研究。
