等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构[发明专利]

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专利名称：等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层

结构

专利类型：发明专利

发明人：吴振宇,杨银堂,汪家友,李跃进申请号：CN200710018519.2申请日：20070821公开号：CN101109077A公开日：20080123

摘要：本发明公开了一种电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构，其方法是在淀积室中的多种衬底上用碳氢和碳氟源气体作为前驱气体淀积氟化非晶碳膜，利用电子回旋共振效应吸收微波能量分解前驱气体，并在衬底上形成介电常数低、热稳定性好的氟化非晶碳薄膜，具体过程为：衬底清洗并放入工艺室；对工艺室抽真空；通入混合气体；在衬底上淀积氟化非晶碳薄膜；净化工艺室。其中，在淀积氟化非晶碳膜前后，可在同一设备中选择淀积碳化硅膜粘附薄层和氮化硅膜覆盖薄层形成多层低介电常数介质结构。本发明具有热稳定性好、介电常数较低、淀积速率高的优点，可用于集成电路互连或者某些光学器件的制造。

申请人：西安电子科技大学

地址：710071 陕西省西安市太白路2号

国籍：CN

代理机构：陕西电子工业专利中心

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