常见电路模块作用

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电压比较器可以看作是放大倍数接近“无穷大”的运算放大器。

电压比较器的功能：比较两个电压的大小(用输出电压的高或低电平，表示两个输入电压的大小关系)：

当”＋”输入端电压高于”－”输入端时，电压比较器输出为高电平；

当”＋”输入端电压低于”－”输入端时，电压比较器输出为低电平；

电压比较器的作用：它可用作模拟电路和数字电路的接口，还可以用作波形产生和变换电路等。利用简单电压比较器可将正弦波变为同频率的方波或矩形波。

简单的电压比较器结构简单，灵敏度高，但是抗干扰能力差，因此我们就要对它进行改进。改进后的电压比较器有：滞回比较器和窗口比较器。

运放，是通过反馈回路和输入回路的确定“运算参数”，比如放大倍数，反馈量可以是输出的电流或电压的部分或全部。而比较器则不需要反馈，直接比较两个输入端的量，如果同相输入大于反相，则输出高电平，否则输出低电平。电压比较器输入是线性量，而输出是开关（高低电平）量。一般应用中，有时也可以用线性运算放大器，在不加负反馈的情况下，构成电压比较器来使用。

可用作电压比较器的芯片：所有的运算放大器。常见的有LM324 LM358 uA741 TL081\\2\\3\\4 OP07 OP27，这些都可以做成电压比较器（不加负反馈）。LM339、LM393是专业

，切换速度快，延迟时间小，可用在专门的电压比较场合，其实它们也是一种运算放

大器。

基本上电压比较器就是一个A/D转换器，但是这个A/D转换器只有一个比特的输出。电压比较器有两个输入端，当输入端A的电压为一定的时候（我们称它为参考电压Vref），另一输入端B电压若高于Vref，输出端就为高电平（1），输入端B电压若低于Vref，输出端则为低电平（0）。当然如果设定输入端B为参考电压，输入端A用做电压测试，输出电压的变化就相反。利用这一特性，电压比较器可以用于探测电压的变化，然后控制一个电路的开关。

电压比较器的作用：它可用作模拟电路和数字电路的接口，还可以用作波形产生和变换电路等。利用简单电压比较器可将正弦波变为同频率的方波或矩形波

电压比较器是集成运放非线性应用电路，他常用于各种电子设备中，那么什么是电压比较器呢？下面我给大家介绍一下，它将一个模拟量电压信号和一个参考固定电压相比较，在二者幅度相等的附近，输出电压将产生跃变，相应输出高电平或低电平。

电压比较器是对输入信号进行鉴别与比较的电路，是组成非正弦

波发生电路的基本单元电路。常用的电压比较器有单限比较器、滞回比较器、窗口比较器、三态电压比较器等。 LM339的引脚图如右图：工作原理

电压比较器可以看作是放大倍数接近“无穷大”的运算放大器。电压比较器的功能：比较两个电压的大小(用输出电压的高或低电平，表示两个输入电压的大小关系)：当”+”输入端电压高于”－”输入端时，电压比较器输出为高电平；当”+”输入端电压低于”－”输入端时，电压比较器输出为低电平；可工作在线性工作区和非线性工作区。工作在线性工作区时特点是虚短，虚断；工作在非线性工作区时特点是跳变，虚断；由于比较器的输出只有低电平和高电平两种状态，所以其中的集成运放常工作在非线性区。从电路结构上看，运放常处于开环状态，又是为了使比较器输出状态的转换更加快速，以提高响应速度，一般在电路中接入正反馈。

功能作用

它可用作模拟电路和数字电路的接口，还可以用作波形产生和变换电路等。利用简单电压比较器可将正弦波变为同频率的方波或矩形波。简单的电压比较器结构简单，灵敏度高，但是抗干扰能力差，因此我们就要对它进行改进。改进后的电压比较器有：滞回比较器和窗口比较器。运放，是通过反馈回路和输入回路的确定“运算参数”，比如放大倍数，反馈量可以是输出的电流或电压的部分或全部。而比较器则不需要反馈，直接比较两个输入端的量，如果同相输入大于反相，则输出高电平，否则输出低电平。电压比较器输入是线性量，而输出是开关（高低电平）量。一般应用中，有时也可以用线性运算放大器，在不加负反馈的情况下，构成电压比较器来使用。

可用作电压比较器的芯片：

所有的运算放大器。常见的有LM324 LM358 uA741 TL081\\2\\3\\4 OP07 OP27，这些都可以做成电压比较器（不加负反馈）。LM339、LM393是专业的电压比较器，切换速度快，延迟时间小，可用在专门的电压比较场合，其实它们也是一种运算放大器。

12、

http://wenku.baidu.com/view/bcc908ec856a561252d36ff1.html

编辑本段]场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。 [编辑本段]1.概念: 场效应管场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.

特点:

具有输入电阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.

作用:

场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.

场效应管可以用作电子开关.

场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源. [编辑本段]2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类

按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.

按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类. [编辑本段]3.场效应管的主要参数 :

Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.

Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.

Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.

gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.

BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.

PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.

IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM

Cds---漏-源电容

Cdu---漏-衬底电容

Cgd---栅-漏电容

Cgs---漏-源电容

Ciss---栅短路共源输入电容

Coss---栅短路共源输出电容

Crss---栅短路共源反向传输电容

D---占空比（占空系数，外电路参数）

di/dt---电流上升率（外电路参数）

dv/dt---电压上升率（外电路参数）

ID---漏极电流（直流）

IDM---漏极脉冲电流

ID(on)---通态漏极电流

IDQ---静态漏极电流（射频功率管）

IDS---漏源电流

IDSM---最大漏源电流

IDSS---栅-源短路时，漏极电流

IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）

IG---栅极电流（直流）

IGF---正向栅电流

IGR---反向栅电流

IGDO---源极开路时，截止栅电流

IGSO---漏极开路时，截止栅电流

IGM---栅极脉冲电流

IGP---栅极峰值电流

IF---二极管正向电流

IGSS---漏极短路时截止栅电流

IDSS1---对管第一管漏源饱和电流

IDSS2---对管第二管漏源饱和电流

Iu---衬底电流

Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）

gfs---正向跨导

Gp---功率增益

Gps---共源极中和高频功率增益

GpG---共栅极中和高频功率增益

GPD---共漏极中和高频功率增益

ggd---栅漏电导

gds---漏源电导

K---失调电压温度系数

Ku---传输系数

L---负载电感（外电路参数）

LD---漏极电感

Ls---源极电感

rDS---漏源电阻

rDS(on)---漏源通态电阻

rDS(of)---漏源断态电阻

rGD---栅漏电阻

rGS---栅源电阻

Rg---栅极外接电阻（外电路参数）

RL---负载电阻（外电路参数）

R(th)jc---结壳热阻

R(th)ja---结环热阻

PD---漏极耗散功率

PDM---漏极最大允许耗散功率

PIN--输入功率

POUT---输出功率

PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）

to(on)---开通延迟时间

td(off)---关断延迟时间

ti---上升时间

ton---开通时间

toff---关断时间

tf---下降时间

trr---反向恢复时间

Tj---结温

Tjm---最大允许结温

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Tstg---贮成温度

VDS---漏源电压（直流）

VGS---栅源电压（直流）

VGSF--正向栅源电压（直流）

VGSR---反向栅源电压（直流）

VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）

VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）

Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）

VGS(th)---开启电压或阀电压

V（BR）DSS---漏源击穿电压

V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压

VDS(on)---漏源通态电压

VDS(sat)---漏源饱和电压

VGD---栅漏电压（直流）

Vsu---源衬底电压（直流）

VDu---漏衬底电压（直流）

VGu---栅衬底电压（直流）

Zo---驱动源内阻

η---漏极效率（射频功率管）

Vn---噪声电压

aID---漏极电流温度系数

ards---漏源电阻温度系数 [编辑本段]4.结型场效应管的管脚识别:

判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.

判定源极S、漏极D:

在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极. [编辑本段]5.场效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.

晶体三极管与场效应管工作原理完全不同，但是各极可以近似对应以便于理解和设计：

晶体管：基极发射极集电极

场效应管：栅极源极漏极

要注意的是，晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V)，场效应管源极

电位比栅极电位高（约0.4V)。

场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.

一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。

1、结型场效应管（JFET）

（1）结构原理它的结构及符号见图1。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区，形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来，称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管

图1、N沟道结构型场效应管的结构及符号

由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，从图1中可见，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。

（2）特性曲线

1）转移特性

图2（a）给出了N沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线，称为转移特性曲线，它和电子管的动态特性曲线非常相似，当栅极电压VGS=0时的漏源电流。用IDSS表示。VGS变负时，ID逐渐减小。ID接近于零的栅极电压称为夹断电压，用VP表示，在0≥VGS≥VP的区段内，ID与VGS的关系可近似表示为：

ID=IDSS（1-|VGS/VP|）

其跨导gm为：gm=（△ID/△VGS）|VDS=常微（微欧）|

式中：△ID------漏极电流增量（微安）

------△VGS-----栅源电压增量（伏）

图2、结型场效应管特性曲线

2）漏极特性（输出特性）

图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线很相似。

①可变电阻区（图中I区）在I区里VDS比较小，沟通电阻随栅压VGS而改变，故称为可变电阻区。当栅压一定时，沟通电阻为定值，ID随VDS近似线性增大，当VGS＜VP时，漏源极间电阻很大（关断）。IP=0；当VGS=0时，漏源极间电阻很小（导通），ID=IDSS。

这一特性使场效应管具有开关作用。

②恒流区（区中II区）当漏极电压VDS继续增大到VDS＞|VP|时，漏极电流，IP达到了饱和值后基本保持不变，这一区称为恒流区或饱和区，在这里，对于不同的VGS漏极特性曲线近似平行线，即ID与VGS成线性关系，故又称线性放大区。

③击穿区（图中Ⅲ区）如果VDS继续增加，以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿，漏极电流ID突然增大，若不加措施，管子就会烧坏。

2、绝缘栅场效应管

它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。

（1）结构原理

它的结构、电极及符号见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。

图3、N沟道（耗尽型）绝缘栅场效应管结构及符号

在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

（2）特性曲线

1）转移特性（栅压----漏流特性）

图4（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线，图中Vp为夹断电压（栅源截止电压）；IDSS为饱和漏电流。

图4（b）给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线，图中Vr为开启电压，当栅极电压超过VT时，漏极电流才开始显著增加。

2）漏极特性（输出特性）

图5（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。

图5(b)为N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。

图4、N沟道MOS场效管的转移特性曲线

图5、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线

此外还有N衬底P沟道（见图1）的场效应管，亦分为耗尽型号增强型两种，

各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性）二、场效

应管的主要参数

1、夹断电压VP

当VDS为某一固定数值，使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。

2、饱和漏电流IDSS

在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。

3、击穿电压BVDS

表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。

4、直流输入电阻RGS

在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。

5、低频跨导gm

漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导，即

gm= △ID/△VGS

它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）来表示

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金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 g 电压vg 增大时， p 型半导体表面的多数载流子枣空穴减少、耗尽，而电子积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 s 和 n+ 漏区 d 形成导电沟道。当 vds ≠ 0 时，源漏电极有较大的电流ids流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压vt。当 vgs>vt并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在的vds下也将产生不同的ids, 实现栅源电压vgs对源漏电流ids的控制。

场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。

fet和双极型三极管相类似，电极对应关系是b®g、e®s、c®d；由fet组成的放大电路也和三极管放大电路相类似，三极管放大电路基极回路一个偏置电流(偏流)，而fet放大电路的场效应管栅极没有电流，fet放大电路的栅极回路一个合适的偏置电压(偏压)。

fet组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别：场效应管是电压控制型器件，靠栅源的电压变化来控制漏极电流的变化，放大作用以跨导来；三极管是电流控制型器件，靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化，放大作用由电流放大倍数来。

场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时，可与双极型三极管的共射、共集、共基对照，体会二者间的相似与区别之处。

2|评论

nongnong0707| 二级|求助知友

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2012-11-07 11:22fangshanyi8888|一级

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管属于电压控制元件，这一特点类似于电子管，但它的构造与工作原理和电子

管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

特点:

（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；

（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管的抗辐射能力强；

（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低

主要作用

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关

产品特性

(1)转移特性：栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。

(2)输出特性： UDS与ID的关系称为输出特性。

(3)结型场效应管的放大作用：结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用

使用优势

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

深圳市瑞光电子经营部就是专门卖仙童场效应管的有空百度看看挺不错的

18、

LC振荡电路的物理模型满足下列条件：①整个电路的电阻R=0（包括线圈、导线），从能量角度看没有其它形式的能向内能转化，即热损耗为零.②电感线圈L集中了全部电路的电感，电容器C集中了全部电路的电容，无潜布电容存在.③LC振荡电路在发生电磁振荡时不向外界空间辐射电磁波，是严格意义上的闭合电路，LC电路内部只发生线圈磁场能与电容器电场能之间的相互转化，即便是电容器内产生的变化电场，线圈内产生的变化磁场也没有按麦克斯韦的电磁场理论激发相应的磁场和电场，向周围空间辐射电磁波.

LC振荡器原理：放大器输出端引出的正（与输入端同相）反馈经LC选频网络选出单一频率馈至输入端从而形成振荡

17、

RC振荡电路，顾名思义就是由电阻R和电容C组合成选频网络的一种振荡电路，适用于低频振荡。这种振荡电路一般产生低频率信号，频率只有1Hz~1MHz。常见的RC振荡电路有两种，一种是RC相移振荡电路，另一种是RC桥式振荡电路，这两种电路都是由正反馈网络、选频网络和放大器组成的。对于这种振荡电路来说，要想降低振荡频率，只要增大电阻就行了，而且增大电阻是不需要增加陈本的。在接下来的文章中，小编将会为您详细介绍RC振荡电路的相关知识，希望对您的学习有所帮助!

相较而言，我们平常用的LC振荡电路产生的正弦波频率一般都比较高，如果想要产生频率比较低的正弦振荡，就要求该振荡回路中的电感和电容都比较大。但是，这样会有很

多问题，比如元件体积大，笨重，安装也不方便，除此之外，陈本较高，制造也比较困难。所以，一般频率在200kHz的正弦振荡电路，我们一般选用振荡频率比较低的RC振荡电路。

RC串并联网络振荡电路用以产生低频正弦波信号，是一种使用十分广泛的RC振荡电路。

RC振荡电路工作原理

输出电压 uo 经正反馈(兼选频)网络分压后，取uf? 作为同相比例电路的输入信号ui。

(1) 起振过程

(2) 稳定振荡

(3) 振荡频率

振荡频率由相位平衡条件决定。

φA= 0，仅在 f0处 φF = 0 满足相位平衡条件，所以振荡频率f0= 1/2πRC。

改变R、C可改变振荡频率

RC振荡电路的振荡频率一般在200KHz以下。

振荡频率的调整

(4)起振及稳定振荡的条件

考虑到起振条件AuF > 1, 一般应选取 RF略大2R1。如果这个比值取得过大，会引起振荡波形严重失真。

由运放构成的RC串并联正弦波振荡电路不是靠运放内部的晶体管进入非线性区稳幅，而是通过在外部引入负反馈来达到稳幅的目的

常用的RC振荡电路

有相移式和桥式两种。

(1)RC移相式振荡器，具有电路简单，经济方便等优点，但选频作用较差，振幅不够稳定，频率调节不便，因此一般用于频率固定、稳定性要求不高的场合。其振荡频率是

fo=1/2π√6RC

(2)RC桥式振荡器将RC串并联选频网络和放大器结合起来即可构成RC振荡电路，

放大器件可采用集成运算放大器。

如图所示，RC串并联选频网络接在运算放大器的输出端和同相输入端之间，构成正反馈，Rf、R1接在运算放大器的输出端和反相输入端之间，构成负反馈。正反馈电路和负反馈电路构成一文氏电桥电路(如图右所示)，运算放大器的输入端和输出端分别跨接在电桥的对角线上，所以，把这种振荡电路称为RC桥式振荡电路。

(如图)振荡信号由同相端输入，故构成同相放大器，输出电压Uo与输入电压Ui同相，其闭环电压放大倍数等于Au=Uo/Ui=1+(Rf/R1)。而RC串并联选频网络在ω=ωo=1/RC时，Fu=1/3,εf=0°，所以，只要|Au|=1+(Rf/R1)>3,即Rf>2R1,振荡电路就能满足自激振荡的振幅和相位起振条件，产生自激振荡，振荡频率fo等于

fo=1/2πRC

采用双联可调电位器或双联可调电容器即可方便地调节振荡频率。在常用的RC振荡电路中，一般采用切换高稳定度的电容来进行频段的转换(频率粗调)，再采用双联可变电位器进行频率的细调。

石英晶体振荡器的优点和缺点

2005-11-20 14:36提问者：匿名|浏览次数：2348次

我来帮他解答

推荐答案

2005-11-20 14:43

优点：

1.频率长期稳定性极高；

2.Q值高，带宽很窄，有利于选频；

3.体积小，适应现在集成工艺要求

缺点：

1.频率不能调节，不能简单用于可变调谐电路

2.频带窄，不能用于宽带滤波

7、共集电极放大电路

2011-09-30 11:12提问者：brucevvvvv|来自手机知道|浏览次数：1660次

共集电极放大电路稳定静态工作点的物理过程，要说的清楚的

http://wenku.baidu.com/view/79603b244b35eefdc8d333b7.html

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2011-10-02 10:31

共集电极放大电路就是射极输出器。附图右侧为其直流通路。

从射极输出器直流通路可看出，温升使晶体管β值增大时，Ie将变大，发射极反馈电阻Re压降增大，基极偏置电阻Rb串联分压自然减小，基极偏置电流Ib跟着减小，经反馈使Ie增量减小，工作点得到一定程度的稳定。

10、

串联型稳压电源的工作原理及电路图

发布: | 作者: | 来源: zhouhuajun | 查看:6830次 | 用户关注：

串联型稳压电源电原理图工作原理：图示串联型稳压电路，除了变压、整流、滤波外，稳压部分一般有四个环节：调整环节、基准电压、比较放大器和取样电路。当电网电压或负载变动引起输出电压V0变化时，取样电路将输出电压V0的一部分馈送回比较放大器和基准电压进行比较，产生的误差电压经放大后去控制调整管的基极电流，自动地改变调整管集—射极间的电压，补偿V0的变化，从而维持输出电压基本不变。串联稳压电路的安装、焊接与调试1 串联型稳压电源电原理图

工作原理：

图示串联型稳压电路，除了变压、整流、滤波外，稳压部分一般有四个环节：调整环节、

基准电压、比较放大器和取样电路。

当电网电压或负载变动引起输出电压V0变化时，取样电路将输出电压V0的一部分馈送回

比较放大器和基准电压进行比较，产生的误差电压经放大后去控制调整管的基极电流，自

动地改变调整管集—射极间的电压，补偿V0的变化，从而维持输出电压基本不变。

串联稳压电路的安装、焊接与调试

1、.元件的安装与焊接

（1）元器件的检测：在安装前应对元件的好坏进行检查，防止已损坏的元件被安装。

要求：二极管：正向电阻、极性标志是否正确。

三极管：判断极性及类型，8050，9013为NPN 管，8550 为PNP管，HFE 大于50。

电解电容：是否漏电，极性是否正确。

电阻：阻值是否合格。

发光二极管：极性及好坏

插头及软线：接线是否可靠。

变压器：绕组有无断、短路，电压是否正确。

（2）根据元器件封装画好装配图。

（3）按装配图正确安装各元器件，装配工艺见附录

在印制板上安装元件时，一般应注意如下几点：

(1) 元件引脚若有氧化膜，则应除去氧化膜，并进行搪锡处理。

(2) 安装时，要确保元件的极性正确，如二极管的正、负板、三极管的e、b、c 极，电

解电容的正、负极。

(3) 元件外形的标注字（如型号、规格、数值）应放在看得见的一面。

(4) 同一种元件的高度应当尽量一致。

(5) 安装时，应先安装小元件（如电阻），然后安装中型元件，最后安装大型元件，这样便

于安装操作。

(6) 在空间允许时，功率元件的引脚应尽量留得长一些，以便有利于散热。

在进行焊接操作时要注意安全，焊接时间，送锡方法，烙铁头处理，用松香的道理和方法，

防止虚焊的措施等。

2.串联型稳压电路的调试

(1)通电前的检查。电路安装完毕后，应先对照电路图按顺序检查一遍，一般地：

①检查每个元件的规格型号、数值、安装位置管脚接线是否正确。着重检查电源线，变压

器连线，是否正确可靠，

②检查每个焊点是否有漏焊、假焊和搭锡现象，线头和焊锡等杂物是否残留在印制电路板

上。

③检查调试所用仪器仪表是否正常，清理好测试场地和台面，以便做进一步的调试。

（2）静态调试

通电检测后，不要急于测试，先要用眼看、用鼻闻，观察有无异常现象，如果出现元

器件

冒烟，有焦味等异常现象，要及时中断通电，等排除故障后再行通电检测。

①负载RL开路负载。

②调节电位器R5，使V0=6v,测量各三极管的Q 点，

填表1

②负载能力：用一个47Ω/2W的电位器作负载，接到直流输出电压端，串接万用表500mA

档，调节电位器使输出电流为额定值150 mA，用连接线替下万用表，测此时输出电压（注

意换成电压档）。与空载时作比较，下降应小于0.3V。

（３）过载保护

①将万用表DC500mA串入电源负载回路，逐渐减小电位器阻值， LED 发光二极管逐渐变

亮，电流逐渐增大到一定数（<500mA）后不再增大（保护电路起作用）。当增大阻值后发光二极管熄来，恢复正常供电。（注意维持时间应短，不超过５秒，以免电位器烧坏。）

四、思考题

1.元器件性能测试方面

(1) 如何用万用表来检测二极管的正负极，并应注意什么问题？

(2) 从哪些方面可以分别硅Si 二极管和锗Ge 二极管？

(3) 一个1.5V 的干电池，以正向接法直接接到一个二极管的两端，会出现什么问题?

(4)用万用表测二极管的正向电阻时，不同的电阻档为什么读数不同

(5) 如何用万用表来判断三极管的基极和类型？表述判断根据。

(6)如何用万用表来确定三极管的集电极和发射极(已知三极管类型)？表述判断根据

(7) 电阻器上的色环有哪些颜色，它的含义是什么

(8)如何用万用表来检验电容器的好坏？

(8)如何用万用表来判别电解电容的正负极？

(8)安装电解电容时应注意什么问题？

2.仪器仪表使用方面

(1) 万用表在测量电阻时应如何操作？要注意什么问题？

(2) 测量结束，万用表的挡位应放在什么位置上？

(3) 用万用表测电阻和测电压、电流时，它们的读数有什么不同？

(4) 万用表的测试棒(红与黑)插法应如何？在测量直流电流时，接法如何？测量直流电压

时，接法如何？旋在电阻档上，两棒各带什么极性？

(5) 万用表上的两个调零器的作用有何区别？

3、半导体器件基础知识方面

（1）半导体的型号是如何命名的？美、日和欧洲三极管型号中字母或数字含义有何特点？

（2）什么是整流二极管，有哪些主要参数？

（3）什么是稳压二极管，有哪些主要参数？

（4）什么是发光二极管，有哪些主要参数？

（5）发光二极管的限流电阻的估算。

4、电路原理知识方面

（1）串联型稳压电源的组成框图和原理。

（2）理论计算本实训：串联型稳压电路的输出电压调节范围。

（3）本实训稳压电路中发光二极管的作用是什么？简述过载保护的原理。

（4）整流二极管的选择原则？滤波电容的选择原则？

5、选择判断题：

5.1、判断下列说法是否正确，用“√”“×”表示判断结果填入空内。

（1）直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。（）

（2）直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。（）

（3）在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电

路输出电流的2倍。（）

因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。（）

（4）若U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波

电路在空载时的输出电压均为2U2。（）

（5）当输入电压UI和负载电流IL变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。（）

5.2 判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入空内。

（1）整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。（）（2）电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。（）

（3）在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的

一半。（）

5.3 判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入空内。

（1）对于理想的稳压电路，△UO/△UI＝0，Ro＝0。（）

（2）线性直流电源中的调整管工作在放大状态。（）

（3）因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈，因此也可能产生自激振荡。（）

（4）在稳压管稳压电路中，稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流；（）

而且，其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。（）

5.4 选择合适答案填入空内。

（1）整流的目的是（）。

A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波

（2）在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（）。

A. 输出电压约为2UD B. 变为半波直流 C. 整流管将因电流过大而烧坏

（3）直流稳压电源中滤波电路的目的是（）。

A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将交、直流混合量中的交流成

分滤掉

（4）滤波电路应选用（）。

A. 高通滤波电路 B. 低通滤波电路 C. 带通滤波电路

5.5 选择合适答案填入空内。

（1）若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源，则应采用（）。

A. 电容滤波稳压管稳压电路 B. 电感滤波稳压管稳压电路

C. 电容滤波串联型稳压电路 D. 电感滤波串联型稳压电路

（2）串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（）。

A. 基准电压 B. 采样电压 C. 基准电压与采样电压之差

串联型稳压电源器件清单

序号品名型号规格数量配件图号

1 二极管 1N4007 4 D1、 D2、 D3、 D4

2 发光二极管红色 1 LED1

3 电阻 1K 2 R1 R3

4 电阻 1 1 R2

5 电阻 24 1 R4

6 电阻 220 1 R6

7 微调电位器 330 1 R5

8 电容 470u F /16V 2 C1、C3

9 电容 22uF/16V 1 C2

10 三极管 8050 1 Q1

11 三极管 9013 2 Q2、Q3

12 稳压管 (2.2V) 1 D5

13 变压器 220V/12V 1 T1

14 电源插头 1

15 多功能板 1

10、

1．方框图

图8-8是串联调整稳压电路的方框图， Q2004L3从图中可以看出它由调整管、比较放大器、基准电压电路和取样电路几部分组成，有的稳压电路中还接入了各种保护电路等。

稳压电路的输入电

压是整流、滤波电路输出的直流电压，是不稳定的直流电压，经过这一稳压电路后的直流电压Uo是稳定的。

2．各单元电路的作用

3．稳压原理

图8-9所示是串联调整稳压电路的稳压原理电路。电路中，VT1是调整管，酊是输入稳压电路的直流电压，Uo是经过稳压电路稳压之后的直流工作电压，Rl是稳压电路的负载（实际电路中R1是整机电路）。

直流输入电压Ui从VT1集电极输入，经过VT1集电极与发射极之间的内阻，从VT1发射极输出，加到负载Rl上，Rl上的直流电压为Uo。

从电路中可以看出，调整管VT1集电极与发射极之间的电压降加上Rl上的电压降（Uo）等于直流输入电压Ui0。