专利名称：增强图像传感器近红外性能的像素单元结构和形成
方法
专利类型：发明专利
发明人：顾学强,周雪梅,奚鹏程申请号：CN201810908463.6申请日：20180810公开号：CN109216388A公开日：20190115
摘要：本发明公开了一种增强图像传感器近红外性能的像素单元结构，包括：硅衬底；设于硅衬底正面的光电二极管和传输管栅极；设于硅衬底正面下方的层间介质层；设于层间介质层中的金属互连层和金属反射层，金属反射层对应位于光电二极管的下方；金属反射层具有面向光电二极管设置的弧形凹面，弧形凹面用于对自硅衬底背面入射的光线进行聚光，并再次反射至光电二极管中实现光电转换，保证了近红外光在硅衬底里吸收比例的大幅上升，从而实现了对近红外入射光线的有效收集，明显提高了像素单元近红外的量子效率，增强了图像传感器的近红外性能。本发明还公开了一种增强图像传感器近红外性能的像素单元结构的形成方法。
申请人：上海集成电路研发中心有限公司,成都微光集电科技有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
国籍：CN
代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容