专利名称：用于分散测定半导体结构的串联电阻的方法专利类型：发明专利
发明人：J·豪恩席尔德,M·格拉特哈尔,S·瑞恩申请号：CN201080024016.6申请日：20100517公开号：CN102449494A公开日：20120509
摘要：本发明涉及一种用于分散测定半导体结构的串联电阻的方法，所述方法通过在测量条件A和B下使半导体结构内形成发光，为半导体结构的多个给定的点测定局部校准参数C并且为半导体结构的多个给定的点测定局部串联电阻R。重要的是，为半导体结构的所有局部串联电阻设置相同的全局串联电阻R，根据所述全局串联电阻来测定所述局部串联电阻R。
申请人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会,弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙)
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