TSV电镀工艺

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201510514469.1 （22）申请日 2015.08.20

（71）申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋

（10）申请公布号 CN105206563A

（43）申请公布日 2015.12.30

（72）发明人 程万;伍恒;李恒甫;王宏杰;李祥

（74）专利代理机构 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

代理人 殷红梅

（51）Int.CI

H01L21/768; C25D7/12; C25D5/48;

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

TSV电镀工艺

（57）摘要

本发明涉及一种电镀工艺，尤其是一种

TSV电镀工艺，具体的地说是一种能降低CMP成本的电镀工艺，属于TSV的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种TSV电镀工艺，所述TSV电镀工艺包括如下步骤：a、提供待电镀填充的晶圆，并对所述晶圆进行所需的TSV电镀填

充；b、对电镀填充后的晶圆，在所述晶圆上施加与TSV电镀填充时相反的退镀电流，以降低电镀填充晶圆上过电镀铜层的厚度。本发明在利用TSV电镀对晶圆进行电镀填充后，再施加与TSV电镀时电流方向相反的退镀电流，利用退镀电流进行均匀退镀，降低过电镀铜层的厚度，即保证晶圆的TSV填充目的，又能将过电镀铜层的厚度尽可能减小，有效降低CMP成本的目的，适应范围广，安全可靠。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2015-12-30 公开 2015-12-30 公开

2016-01-27 实质审查的生效 2016-01-27 实质审查的生效

2018-12-07

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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