存储器单元及形成存储器单元的方法[发明专利]

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专利名称：存储器单元及形成存储器单元的方法专利类型：发明专利

发明人：刘海涛,K·M·卡尔达,A·法鲁辛申请号：CN201811588942.0申请日：20181225公开号：CN109994477A公开日：20190709

摘要：本申请案涉及存储器单元及形成存储器单元的方法。可编程电荷存储晶体管包括沟道材料、绝缘电荷通道材料、电荷存储材料、控制栅极，及所述电荷存储材料与所述控制栅极之间的电荷阻挡材料。所述电荷阻挡材料包括非铁电绝缘体材料及铁电绝缘体材料。揭示存储器单元的竖向延伸的存储器单元串阵列，包含形成此存储器单元的竖向延伸的存储器单元串阵列的方法。揭示其它实施例，包含方法。

申请人：美光科技公司

地址：美国爱达荷州

国籍：US

代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：王龙

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