半导体制造工艺的冗余填充方法以及半导体装置

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200710103909.X （22）申请日 2007.05.15

（71）申请人 台湾积体电路制造股份有限公司

地址 中国台湾新竹市

（10）申请公布号 CN101231667A

（43）申请公布日 2008.07.30

（72）发明人 张广兴;郑仪侃;侯永清

（74）专利代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司

代理人 陈晨

（51）Int.CI

G06F17/50; H01L21/768; H01L21/82; H01L23/528; H01L27/02;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

半导体制造工艺的冗余填充方法以及半导体装置

（57）摘要

一种半导体制造工艺的冗余填充方法，提

供电路图形，产生该电路图形的密度报告以辨别冗余填充(dummy insertion)的可行区域

(feasible area)。该方法也包括利用该密度报告模拟平坦化(planarization)制造工艺和辨别该电路图形上的热点(hot spot)，并填充虚拟冗余图形在该可行区域里，再调整该密度报告。此方法利用该调整的密度报告模拟该平坦化制造工艺直到该热点被移除为止。本发明可以减少电路设计的冗余金属数量而节省光掩模时间、CPU时间、和信号存储存储器。这将有利于设计时序收敛(time closure)更快更容易。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2008-07-30 公开

2008-09-24 实质审查的生效 2011-11-09

授权

法律状态

公开

实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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