用于光电器件的多量子阱结构[发明专利]

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专利名称：用于光电器件的多量子阱结构专利类型：发明专利

发明人：李淼,颜建锋,周健华,顾拓,郝茂盛申请号：CN200910201820.6申请日：20091118公开号：CN101714602A公开日：20100526

摘要：本发明公开了一种用于光电器件的多量子阱结构，包括n个依次交叠的量子阱结构，所述光电器件包括N型半导体层和P型半导体层，其特征在于：靠近N型半导体层的势垒层厚度大于靠近P型半导体层的势垒层厚度；所述的n为大于2小于20的整数。本发明可以提升内量子效率，由于靠近N层的势垒层较宽，这样就可以迫使空穴向N层附近移动，增加了发光量子阱的数量进而提高量子阱的发光效率提升了亮度。可以提高反向电压，提升抗静电性能：由于靠近N层的势垒层比靠近P层的势垒层厚，因此在施加反向电压时PN结变宽。

申请人：上海蓝光科技有限公司,彩虹集团公司

地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

国籍：CN

代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：孙大为

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