专利名称：一种覆于铜表面的GaN薄膜及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：仇志军,叶怀宇,张国旗申请号：CN202011187904.1申请日：20201030公开号：CN112103178A公开日：20201218
摘要：本发明公开了一种覆于铜表面的GaN薄膜制备方法，包括如下步骤：步骤S1，取样铜衬底，经超声处理后用氮气吹干；步骤S2，在所述铜衬底的上表面生长氮化硼材料层；步骤S3，在所述氮化硼材料层上沉积AlN层；步骤S4，在所述AlN层上沉积组分连续可变的AlGaN层；步骤S5，在所述AlGaN层上沉积GaN层，从而制得覆于铜表面的GaN薄膜。本发明在铜衬底上直接生长GaN薄膜，制得的覆于铜表面的GaN薄膜具有内应力小、位错少、散热性佳的优点，适用于制备大功率电子器件和照明器件，实用性佳，具有广泛的工业推广价值。
申请人：深圳第三代半导体研究院
地址：518055 广东省深圳市龙华区观光路1310号
国籍：CN
代理机构：北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：彭随丽
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