一种用于监测金属层短路的测试结构[实用新型专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种用于监测金属层短路的测试结构专利类型：实用新型专利发明人：宋春,陈文磊

申请号：CN201420250467.7申请日：20140515公开号：CN203850292U公开日：20140924

摘要：本实用新型提供一种用于监测金属层短路的测试结构，至少包括：位于一有源区或一多晶硅层上方且由下而上叠放的第一至第N金属层；每一金属层间、有源区与第一金属层间或多晶硅层与第一金属层间设有层间介质；有源区、多晶硅层及第一至第N金属层都设有由第一、第二梳状结构穿插构成的电容器；其中任意两相邻层构成一个组合；与该组合相邻的层的第一、第二梳状结构与该组合的第二、第一梳状结构垂直投影分别对应重合并由通孔对应连接；或构成该组合的任意一层与其相邻的层构成另一所述组合。该测试结构用来监测当前金属层的接线孔偏移于当前金属层或穿透至其以下金属层造成电容短路的现象，提高产品的良率。

申请人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

地址：100176 北京市大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号

国籍：CN

代理机构：上海光华专利事务所

代理人：李仪萍

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