（12）发明专利说明
（21）申请号 CN201410785493.4 （22）申请日 2014.12.16
（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
（10）申请公布号 CN105762116B
（43）申请公布日 2018.09.18
书
（72）发明人 陈林;李广宁
（74）专利代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 吴贵明
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
硅衬底、其制作方法及包括其的IPD器件
（57）摘要
本申请公开了一种硅衬底、其制作方法及
包括其的IPD器件。该硅衬底中掺杂有P型元素或N型元素，其中，硅衬底中还掺杂有碳元素，且碳元素与硅衬底中的间隙氧形成C‑O复合体。将硅衬底中的间隙氧与掺入的碳元素形成热稳定性较好的C‑O复合体，能够使间隙氧的浓度大大降低。这就有利于避免间隙氧在后期的多步热处理工艺中成为氧热施主，从而有利于使硅衬底在整个IPD器件制作工艺中保持稳定的电阻率，最
终使器件保持稳定的性能。
法律状态
法律状态公告日
2016-07-13 2016-07-13 2016-08-10 2016-08-10 2018-09-18
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
硅衬底、其制作方法及包括其的IPD器件的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
硅衬底、其制作方法及包括其的IPD器件的说明书内容是....请下载后查看
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