专利名称：具有贯穿衬底通孔的半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：维克托·西多罗夫,斯蒂芬·杰森尼戈,乔治·帕特德尔申请号：CN201980011331.6申请日：20190215公开号：CN112005365A公开日：20201127
摘要：介电层(2)设置在半导体衬底(1)的主表面(10)上；提供接触区域(4)的金属层(3)嵌入在所述介电层中；顶部金属(5)设置在所述衬底的相对的主表面(11)上；以及贯穿所述衬底的导电互连(6)将所述接触区域与所述顶部金属连接，所述导电互连包括设置在多个导通孔(17)中的多个金属化部(7)。多个金属化部由穿透所述衬底的绝缘层(8)围绕。
申请人：AMS有限公司
地址：奥地利普伦斯塔滕
国籍：AT
代理机构：北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)
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