一种高稳定性MEMS谐振器件的制造方法[发明专利]

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专利名称：一种高稳定性MEMS谐振器件的制造方法专利类型：发明专利

发明人：林日乐,谢佳维,赵建华,翁邦英,李文蕴,徐洲申请号：CN201811319218.8申请日：20181107公开号：CN109399557A公开日：20190301

摘要：本发明公开了一种高稳定性MEMS谐振器件的制造方法，采用与谐振芯片热膨胀系数相同材料制造芯片支架，并通过所述芯片支架将谐振芯片固定安装在MEMS谐振器件的封装外壳内，然后对封装外壳进行密封加工，完成EMS谐振器件的制造。该方法制造出的MEMS谐振器件，受外部形变或温度变化产生的应力影响小，稳定性好，环境适应性强，同时降低了制造工艺难度。

申请人：中国电子科技集团公司第二十六研究所

地址：400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

国籍：CN

代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司

代理人：黄河

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