专利名称：多波长半导体激光器装置专利类型：发明专利发明人：大仓裕二
申请号：CN201010125911.9申请日：20100225公开号：CN101924323A公开日：20101222
摘要：本发明涉及多波长半导体激光器装置。在将波长不同的激光二极管芯片横向排列来构成多波长半导体激光器装置的情况下，各激光二极管芯片的发光点间的距离变长，光学设计困难。此外，在将各激光二极管芯片纵向层叠的情况下，组装程序复杂、制造成本变高。本发明在1个热沉上安装波长不同的多个激光器芯片，构成多波长半导体激光器装置。能够提供光学设计容易、散热特性优越、并且容易制造的多波长半导体激光器装置。
申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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