一种减小MOS器件导通电阻测试值的方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200810037678.1 （22）申请日 2008.05.20

（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址 201203 上海市张江路18号

（10）申请公布号 CN101587148A

（43）申请公布日 2009.11.25

（72）发明人 庞娟;黄莹

（74）专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所

代理人 屈蘅

（51）Int.CI

G01R27/02;

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

一种减小MOS器件导通电阻测试值的方法

（57）摘要

本发明提供了一种减小MOS器件导通电阻

测试值的方法，MOS器件的管脚均具有一条加载线和一条测试线；两个或两个以上的内部打有金属引线的管脚的加载线与测试装置的一加载线连接，对应地，其测试线与测试装置的一测试线连接；未打有金属引线的管脚的加载线与所述测试装置的另一加载线连接，对应地，其测试线与测试装置的另一测试线连接。或者，打有金属引线

的管脚的测试线预留一测试线与测试装置的测试线连接，余下的测试线与测试装置的加载线连接。打有金属引线的管脚为源端管脚，未打有引线的为漏端管脚。本发明的MOS器件管脚连接方法可有效减小并入MOS器件导通电阻的金属引线电阻值，减小MOS器件导通电阻值。

法律状态

法律状态公告日

2009-11-25 2009-11-25 2010-01-20 2010-01-20 2011-07-20 2011-07-20 2020-05-08

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止

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实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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