专利名称:一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材
料的制备方法
专利类型:发明专利
发明人:邓天松,张棋,卫鸣璋,顾伊杰,程知群申请号:CN202011631700.2申请日:20201230公开号:CN112828284A公开日:20210525
摘要:本发明公开了一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料的制备方法,首先制备好金纳米棒原料,重新分散后按一定方式加入正硅酸乙酯(TEOS)溶液,在金纳米棒表面生长介孔二氧化硅。首先使用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与油酸钠(NaOL)作为双表面活性剂,采用种子介导法(seed‑mediated)合成金纳米棒。本发明所制备的一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料生长均匀。此发明的反应条件简洁,反应速率较快,并且实现了低成本。
申请人:杭州电子科技大学
地址:310018 浙江省杭州市下沙高教园区二号路
国籍:CN
代理机构:浙江永鼎律师事务所
代理人:陆永强
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