您好,欢迎来到爱go旅游网。
搜索
您的当前位置:首页实验1动态磁滞回线的测量(用积分电路)

实验1动态磁滞回线的测量(用积分电路)

来源:爱go旅游网
聊城大学基础物理实验室 用RC积分电路测动态磁滞回线

一、基本教学要求 1.了解磁滞现象;

2.学会用示波法测量动态磁滞回线。 二、实验原理

设铁磁环的平均长度为L,横截面积为S,当原线圈输入交流电压U时,在原线圈中将产生交变的磁化电流i1,根据安培环路定理:

HLN1i1 即HUR1N1i1LR1 因为i1, 所以UR1H LN1R1上式表明,加在示波器X轴上的电压UR1与磁场强度H成正比。

原线圈中交变的磁场强度H在磁环样品中产生交变的磁感应强度B,则穿过样品横截面积S的磁通量BS,由法拉第电磁感应定律知,样品副线圈中产生的感应电动势为: 2N2ddBN2S dtdt设副线圈中的感应电流为i2,忽略自感电动势和回路损耗,则回路方程为

2i2R2UC

设电容C上的充电量为Q, i2dUCdQC。若选择选择足够大的R2和C,使dtdtdUC dti2R2UC,则:

2i2R2R2CN2SdUCNSdBR2C 积分得 UC2B dtdtCR2上式表明,加在示波器Y轴上的电压与样品中的磁感应强度B成正比。

磁滞回线的定标

方法1:电流定标

对X轴用H值定标如图,调电源电压使示波器水平线的长度与饱和时的长度相等,读出电流有效值,则Hm2N1I1。 L

对Y轴用B值定标,把被测样品换成互感,调电压使Y向长度达到饱和时的长度,读出IM,则MdIMdBN2S dtdt聊城大学基础物理实验室

MIMmN2SBm, BmMIMnN2S2MIM

N2S方法2:电压定标

用示波器直接测出UR1和UC,再转换为H和B。

用电流标定的值与用电压标定的值有何区别?为什么?(提示:电流不是理想的正弦信号)

若用交流毫伏表测量电压进行定标,与用示波器测量电压的定标值有何区别,为什么? 三、实验内容

1、测量基本磁化曲线

把示波器打到校准状态,调偏转因数旋钮使磁滞回线饱和时显示合适的大小,再慢慢降低电压交流退磁。逐渐增大电压,每隔10V或8V测一组数据,作基本磁化曲线。

2、对坐标轴定标

调示波器使磁滞回线关于原点对称,慢慢调电压至100V,使磁滞回线饱和测量饱和磁场强度、饱和磁感应强度、剩磁和矫顽力。

四、测量数据及数据处理 1、测量基本磁化曲线 变压器电压(V) 顶点坐标 xm(cm) ym(cm) 2、对坐标轴定标 坐标 对应的B或H值 xm Hm ym Bm xc Hc yr Br 用excel或origin作基本磁化曲线。 并求单位厘米对应的磁场强度

BHm和单位厘米对应的磁感应强度m。 xmym注意事项:

1、电路正确连接,防止烧坏电源和R1。2、R1和R2的位置不能互换。 3、测量前先退磁。 五、训练的基本方法与技能 积分电路显示磁滞回线 六、教学重点及难点

重点: 基本磁化曲线的测定。

难点:定标,两种定标方法,哪种比较准确。 七、思考题及参

1.测量磁滞回线要使材料达到磁饱和,退磁也应从磁饱和开始,意义何在?

聊城大学基础物理实验室

提示:使滞回线成一闭合曲线。

2.磁滞回线若在二四象限,如何调整到一三象限。

提示:使CH2信号反相;或调换副线圈两接线的位置。

3.R2的值为什么不能太小?

提示: R2的值太小,则电容的容抗不能忽略,得不到B正比于UC的关系。

4.如果不用本实验中所用的定标方法,而用交流伏特计方法是否能对H和B进行定标?如果可以,应如何定标?

提示:用交流伏特计测UR1和UC的有效值,再计算出峰值,用电压定标即可。

5.用示波器观察R1上的电压是不是正弦规律变化的曲线,为什么?

提示:不是,

解释参考文献:1.戎昭金,示波器法测磁滞回线实验的研究,大连大学学报,2004,25(4):25-28. 2.丘翠环,磁滞回线和交流电路实验,物理实验 2000,20(8):6-7.

6.频率增大,磁滞回线的形状会发生改变吗?

提示:频率增大,磁畴反转频率增大,损耗的能量增多,回线面积增大。

7.隔离变压器有何特点?

隔离变压器又称安全变压器。隔离变压器是在使用时为了人身安全设计的。我们用的交流电是单相交流电,其中一根是火线(相线),另一是零线,是接地的。人碰到火线就会触电,因为人体是零电位的。用了隔离变压器,尽管它是1:1的,电压没有变化,但它的次级只要不接地,人碰到哪一根线都不会触电(但同时碰两根线会触电)。

隔离:一般变压器原、副绕组之间虽也有隔离电路的作用,但在频率较高的情况下,两绕组之间的电容仍会使两侧电路之间出现静电干扰。为避免这种干扰,隔离变压器的原、副绕组一般分置于不同的心柱上,以减小两者之间的电容;也有采用原、副绕组同心放置的,但在绕组之间加置静电屏蔽,以获得高的抗干扰特性。

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容

Copyright © 2019- igat.cn 版权所有 赣ICP备2024042791号-1

违法及侵权请联系:TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com

本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务