半导体制造装置及半导体制造方法[发明专利]

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专利名称：半导体制造装置及半导体制造方法专利类型：发明专利发明人：田中博司

申请号：CN201910994155.4申请日：20191018公开号：CN111092029A公开日：20200501

摘要：涉及半导体制造装置及半导体制造方法。目的是提供即使在晶片的大口径化等物理极限严格的动作条件的范围中，也可确保药液处理中的充分的面内均匀性的技术。半导体制造装置具备卡盘台、工作台旋转机构、药液喷嘴、药液喷嘴扫描机构、将气体供给至晶片下表面侧的下表面气体喷嘴、对供给至下表面气体喷嘴的气体进行温度调节的气体温度调节器、能够以不通过气体温度调节器的状态将气体供给至下表面气体喷嘴的气体旁路绕过配管、以可将通过气体温度调节器进行温度调节后的气体及通过了气体旁路绕过配管的气体的任意一者供给至下表面气体喷嘴的方式开闭的第1、第2开闭阀。能够通过第1、第2开闭阀的操作对通过下表面气体喷嘴的气体的温度进行变更。

申请人：三菱电机株式会社

地址：日本东京

国籍：JP

代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司

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