场效应晶体管的制造方法以及用该方法制造的场效应晶体管[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：场效应晶体管的制造方法以及用该方法制造的场效

应晶体管

专利类型：发明专利

发明人：藤森正成,桥诘富博,安藤正彦申请号：CN200510085583.3申请日：20050725公开号：CN1776922A公开日：20060524

摘要：本发明提供廉价且容易实施的比以往有机TFT提高了沟道分子的定向性的TFT的制作方法。在基板上形成被亲液区域(14)围绕的亲液性TFT图案(19)，通过使其图案具有特征，对滴加到沟道部(12)的含有有机分子或纳米线材的流体产生自发性运动，通过该运动在沟道部定向有机分子或纳米线材。

申请人：株式会社日立制作所

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：钟晶

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