石墨烯薄膜复铜基热沉及其制备方法[发明专利]

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专利名称：石墨烯薄膜复铜基热沉及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：茹占强,马文珍,梁冰,宋贺伦,朱煜,宋盛星,殷志珍申请号：CN201910777068.3申请日：20190822公开号：CN112410750A公开日：20210226

摘要：本发明公开了石墨烯薄膜复铜基热沉及其制备方法。该制备方法包括：提供热沉基板并对所述热沉基板进行预处理；在所述热沉基板上形成石墨烯薄膜层；在所述石墨烯薄膜层上形成金属膜层；对所述石墨烯薄膜层和所述金属膜层进行热压处理。该石墨烯薄膜复铜基热沉包括：热沉基板；石墨烯薄膜层，设置于所述热沉基板上；金属膜层，设置于所述石墨烯薄膜层上。通过制作石墨烯薄膜层来增强了热沉材料的平面导热能力，且石墨烯薄膜层有利于抑制芯片的热膨胀性，延长了芯片的使用寿命，同时通过设置金属膜层可提高热沉材料的焊接性能，最后通过热压工艺可提高石墨烯薄膜层与热沉基板的结合力。

申请人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

国籍：CN

代理机构：深圳市铭粤知识产权代理有限公司

代理人：孙伟峰

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