一种钼承烧钵以及半导体陶瓷半导化工艺[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种钼承烧钵以及半导体陶瓷半导化工艺专利类型：发明专利发明人：蒋小明

申请号：CN202010493523.X申请日：20200603公开号：CN111623637A公开日：20200904

摘要：本发明提供了一种钼承烧钵以及半导体陶瓷半导化工艺。钼承烧钵为长方体结构，长度方向的两侧面均匀开设有三排透气孔。该半导体陶瓷半导化工艺包括以下步骤：在密闭炉体中充满75％H+25％N的还原气体，给加热钼丝通电使其加热到1000‑1100℃；在钼承烧钵中装满待还原产品，在保证安全的前提下打开密闭炉体的一侧炉门，通过推送机构将承烧钵送进密闭炉体内的耐高温炉管中进行半导化。钼具有在高温还原气氛下不变形、耐高温、耐还原气氛不变色、不起皮，强度高的特点，使得半导体陶瓷半导化工艺中采用钼承烧钵替代AlO和不锈钢承烧钵，具有明显的改善工艺适应性的特点，长期来看钼承烧钵经济性更高。

申请人：陕西华星电子开发有限公司

地址：712034 陕西省西安市西咸新区秦汉新城周陵新兴产业园区天工一路东段10号-3

国籍：CN

代理机构：西安泛想力专利代理事务所(普通合伙)

代理人：石琳丹

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