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单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法[发明专利]

来源：爱go旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：单晶硅片表面制备巯基硅烷－稀土自润滑复合薄膜

的方法

专利类型：发明专利发明人：程先华,白涛

申请号：CN200510027350.8申请日：20050630公开号：CN1730377A公开日：20060208

摘要：一种单晶硅片表面制备巯基硅烷－稀土自润滑复合薄膜的方法，将表面经过处理的单晶硅片作为基底材料，在其表面采用自组装方法制备巯基硅烷，然后用溶胶－凝胶法在其表面制备含有稀土元素的纳米薄膜。首先将单晶硅片放入王水中进行预处理，清洗后置入羟基化溶液在室温下进行处理，然后再浸入巯基硅烷溶液中，静置6～8小时后取出，冲洗后用氮气吹干置于配制好的溶胶溶液中静置，提拉，然后干燥，或者重复上述操作制备多层薄膜；把覆有复合薄膜的单晶硅片放入马弗炉保温，缓慢升温至500℃，在炉内自然冷却至室温即可得到稀土纳米薄膜。本发明工艺方法简单，可以将摩擦系数从无膜时的0.8降低到0.1，具有十分明显的减摩作用。

申请人：上海交通大学

地址：200240 上海市闵行区东川路800号

国籍：CN

代理机构：上海交达专利事务所

代理人：毛翠莹

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