MEMS封装结构及其制作方法[发明专利]

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专利名称：MEMS封装结构及其制作方法专利类型：发明专利发明人：秦晓珊

申请号：CN201811615849.4申请日：20181227公开号：CN111377395A公开日：20200707

摘要：本发明提供一种MEMS封装结构及其制作方法。所述MEMS封装结构包括MEMS芯片及器件晶圆，器件晶圆中设置有控制单元和互连结构，并在第一表面设有第一接触垫，MEMS芯片具有微腔、用于连接外部电信号的第二接触垫以及接合面，所述MEMS芯片的微腔具有与芯片外部连通的通孔，MEMS芯片通过接合层排布于第一表面，接合层中具有开口，第一接触垫和第二接触垫电连接，再布线层设置于与第一表面相对的第二表面。所述MEMS封装结构实现了MEMS芯片与器件晶圆的电性互连，相对于现有集成工艺可以缩小尺寸，并且同一器件晶圆上可集成相同或不同的结构和功能的MEMS芯片。本发明另外提供了一种MEMS封装结构的制作方法。

申请人：中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司

地址：中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309

国籍：CN

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：曹廷廷

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