专利名称：半导体衬底生产方法及半导体衬底和半导体器件专利类型：发明专利发明人：竹中正浩申请号：CN03156277.9申请日：20030902公开号：CN1487565A公开日：20040407
摘要：本发明提供一种半导体衬底制造方法，包括步骤：在具有硅表面的衬底上形成第一缓冲Si层；在第一缓冲Si层上顺序外延生长第一应变SiGe层和第一Si层；将离子注入所获衬底中并对衬底退火以松弛第一应变SiGe层中的晶格点阵并在第一Si层中产生拉应变；在所获衬底上外延顺序生长第二缓冲Si层和第二SiGe层；并在第二SiGe层上形成一个具有拉应变的第二Si层。
申请人：夏普株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：陈瑞丰
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