专利名称：射频LDMOS器件及工艺方法专利类型：发明专利
发明人：慈朋亮,李娟娟,钱文生,刘冬华,胡君,段文婷,石晶申请号：CN201310726987.0申请日：20131225公开号：CN104752500A公开日：20150701
摘要：本发明公开了一种射频LDMOS器件，在P型衬底上的P型外延中具有体区及N型轻掺杂漂移区，外延表面具有LDMOS器件的多晶硅栅极及法拉第屏蔽层，所述的N型漂移区是分成上下两层，下层的N型漂移区浓度高于上层，在两层N型漂移区的交界处还具有两段式的P型埋层，该结构的射频LDMOS器件具有较低的输出电容。本发明还公开了所述的射频LDMOS器件的工艺方法。
申请人：上海华虹宏力半导造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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