一种沟槽型肖特基二极管器件[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种沟槽型肖特基二极管器件专利类型：发明专利发明人：倪炜江

申请号：CN202011076765.5申请日：20201010公开号：CN112271220A公开日：20210126

摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种沟槽型肖特基二极管器件，所述器件的有源区有多个原胞并联而成，在一个基本原胞中，包括处于正交排列的沟槽与p+层，即所述沟槽与所述p+层的方向是垂直的；在一个原胞中，沿着垂直于纸面的纵深方向依次为结构A和结构B，其中，所述结构A为纯沟槽肖特基二极管结构，所述结构B为pn二极管结构。对于n型导电器件，本发明器件原胞中通过相反类型的掺杂形成p+区与沟槽的正交形式的排列，实现对沟槽和肖特基接触的电场屏蔽，降低器件的反偏漏电流。同时通过沟槽内及台面上的不同势垒的肖特基接触，降低器件的开启电压和导通电阻。

申请人：倪炜江

地址：100029 北京市朝阳区文学馆路芍药居14号院4-1603

国籍：CN

代理机构：北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：张宇锋

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