薄膜沉积设备及薄膜沉积方法[发明专利]

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专利名称：薄膜沉积设备及薄膜沉积方法专利类型：发明专利

发明人：许波,曹立新,范慧,朱北沂申请号：CN201110362246.X申请日：20111115公开号：CN103103480A公开日：20130515

摘要：本发明公开了一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔，该薄膜沉积腔包括：腔体外壳，腔体外壳围成薄膜沉积腔的腔体；靶材托架，设置于腔体的中部，用于放置由组分A构成的靶材；基片台，设置于腔体中部，与靶材托架相对设置；激光入射口，设置于腔体外壳的侧面，与并靶材托架倾斜相对，用于入射激光以轰击靶材托架上的靶材产生等离子体羽辉；束源炉接口，设置于腔体外壳的侧面并与基片台倾斜相对，用于入射由组分B构成的分子束流；激光入射口与束源炉接口同时入射激光和分子束流。本发明能够有效避免脉冲激光沉积成膜过程和分子束外延成膜过程的相互干扰，可以制备质量更好和采用现有技术根本无法制备的薄膜。

申请人：中国科学院物理研究所

地址：100080 北京市海淀区中关村南三街8号

国籍：CN

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

代理人：宋焰琴

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