专利名称：电容版图结构专利类型：发明专利发明人：赖礼俊,刘寅,唐重林申请号：CN202010768605.0申请日：20200803公开号：CN111834359A公开日：20201027
摘要：本发明公开了一种电容版图结构，包括，衬底；隔离区，所述衬底上设有隔离区，所述隔离区用于隔离来自所述衬底的噪声；电容单元，所述电容单元设于所述隔离区背离所述衬底的一侧；掺杂区，所述衬底上设有所述掺杂区，且围绕所述隔离区设置。本发明实施例提供了一种高抗噪音干扰性能的电容版图结构。
申请人：牛芯半导体(深圳)有限公司
地址：518000 广东省深圳市福田区八卦岭工业区511栋301
国籍：CN
代理机构：深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司
代理人：刘抗美
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