专利名称：MEMS器件的制造方法专利类型：发明专利发明人：毛剑宏,唐德明申请号：CN201310095737.1申请日：20130322公开号：CN104058367A公开日：20140924
摘要：本发明涉及一种MEMS器件的制造方法包括步骤：提供第一半导体基底；在第一半导体基底上形成图案层和嵌在图案层内的牺牲层；在图案层和牺牲层上键合第二半导体基底；研磨第二半导体基底到一定厚度；利用第二半导体基底形成悬浮的微机械结构；在第二半导体基底上方形成封装膜层，去除牺牲层，将所述微机械结构封闭在空腔内，本发明的MEMS器件的制造方法，使得MEMS结构的体积更小，精确度更高。
申请人：上海丽恒光微电子科技有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：郑玮
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