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MEMS器件的制造方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:MEMS器件的制造方法专利类型:发明专利发明人:毛剑宏,唐德明申请号:CN201310095737.1申请日:20130322公开号:CN104058367A公开日:20140924

摘要:本发明涉及一种MEMS器件的制造方法包括步骤:提供第一半导体基底;在第一半导体基底上形成图案层和嵌在图案层内的牺牲层;在图案层和牺牲层上键合第二半导体基底;研磨第二半导体基底到一定厚度;利用第二半导体基底形成悬浮的微机械结构;在第二半导体基底上方形成封装膜层,去除牺牲层,将所述微机械结构封闭在空腔内,本发明的MEMS器件的制造方法,使得MEMS结构的体积更小,精确度更高。

申请人:上海丽恒光微电子科技有限公司

地址:201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室

国籍:CN

代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人:郑玮

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