一种读出放大器及MRAM芯片[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种读出放大器及MRAM芯片专利类型：发明专利发明人：戴瑾

申请号：CN201610079214.1申请日：20160203公开号：CN105761745A公开日：20160713

摘要：本发明提供一种读出放大器，读出放大器包括输入部分与差分电流输出部分，输入部分与差分电流输出部分在输入部分的第一输入端V_in、第二输入端V_in_n连接；其中，第一输入端V_in用于输入经过存储单元的电流，第二输入端V_in_n用于输入经过参考单元的电流；差分电流输出部分用于比较输入部分输入的两个电流并输出比较结果。本发明还提供一种MRAM芯片。本发明提供的读出放大器及MRAM芯片，使得电阻最优，因此读出的速度更快，读出操作更省电；使得参考电阻的分布变窄，降低判定高阻状态、低阻状态的出错几率，提高MRAM芯片良率；通过参数选择，使得组合参考单元的电阻更接近最优选择，进一步提高MRAM芯片良率。

申请人：上海磁宇信息科技有限公司

地址：201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层

国籍：CN

代理机构：上海容慧专利代理事务所(普通合伙)

代理人：于晓菁

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