化学气相沉积装置和化学气相沉积方法[发明专利]

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专利名称：化学气相沉积装置和化学气相沉积方法专利类型：发明专利

发明人：酒井士郎,高松勇吉,森勇次,直井弘之,H·X·王,石滨义

康,纲岛丰

申请号：CN01141203.8申请日：20010928公开号：CN1344817A公开日：20020417

摘要：本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法,其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体;以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体;且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速,或者,在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。通过所述装置和方法可保证,既使在进行大型基体的化学气相沉积或多个基体同时进行化学气相沉积、或在高温下进行化学气相沉积的情况下,都可得到高质量的晶体,而在与所述基体相对的管式反应器壁上不会产生分解产物或反应产物的沉积

申请人：日本派欧尼股份株式会社,NPS株式会社

地址：日本东京

国籍：JP

代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：王杰

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