西安易恩电气科技有限公司MOSFET动静态测试设备技术方案
1.1技术条件1.1.1环境要求A.环境温度：B．相对湿度：C.
大气压力：
25±10℃，湿度不大于65%86Kpa～106Kpa
D.工作电压：三相五线制AC380V±10%，或者单相三线制AC220V±10%E．电网频率：F.压缩空气：G.
50Hz±1Hz0.4～0.6Mpa
防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
1.1.2设备功能简介
此设备具有以下测试单元
注：开关时间，二极管反向恢复，栅极电荷需要可在分装后测试，静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。
开关时间测试单元开启延迟时间（Td(on)）关断延迟时间（Td(off)）开启损耗Eon
上升时间（Tr）下降时间（Tf）关断损耗Eoff
二极管反向恢复测试单元反向恢复时间（Trr）栅极电荷测试单元阈值电荷（Qg（th））静态全参数测试单元
RDS(ON)VGS(th)TDSSIGSSVSDR25雪崩测试单元
雪崩电流（I），雪崩电压(V)，雪崩能量(E)
栅电荷（Qg）反向恢复电荷（Qrr）
1.2动态测试参数
1.2.1开通和关断波形及其相关参数的定义图1.1mosfet开通过程及其参数定义图1.2mosfet关断过程及其参数定义31.2.2加电容后可测试的参数表格1.1可测量的MOSFET动态参数参数名称开通延迟时间上升时间开通时间开通损耗栅极电荷
符号td(on)trtonEonQg
参数名称关断延迟时间
下降时间关断时间关断损耗拖尾时间
符号td(off)tftoffEofftz
表格1.2可测量的DIODE动态参数参数名称反向恢复时间
符号trr
参数名称反向恢复电荷
符号Qrr
1.3静态参数测试
1.3.1加电容前可测试的参数表格1.3可测量的mosfet静态参数参数名称门极开启电压集射极漏电流符号VGS(th)IDSS参数名称集射极耐压栅极漏电流符号VDSIGSS表格1.4可测量的mosfte其他参数参数名称二极管反向电压雪崩电流雪崩能量符号VsdIE参数名称额定电阻雪崩电压符号R25V4
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