专利名称：一种晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜及其制备方
法
专利类型：发明专利
发明人：傅强,董道宴,张崇超,刘代军,陈红玉,匡英,汪双申请号：CN201410572091.6申请日：20141201公开号：CN104332505A公开日：20150204
摘要：本发明公开了一种利用N、NH、SiH三种气体在高频电击下镀晶体硅太阳能电池多层交错变化的氮化硅减反射膜，属于晶体硅太阳能电池领域。本发明包括沉积在硅片上的多层折射率和膜厚交替变化的氮化硅减反射膜。折射率依次为先小后大，但单数膜层相互比较N值是依次减小，双数膜层相比较N值也是依次减小。膜厚度依次是先厚再薄（单数膜层厚，双数膜层薄），工艺膜厚结果数值与折射率值相比成反比例，也就是单膜数相比较和双层膜数相比较膜厚会越来越厚。根据多层减反射膜物理特性，本交替型减反射膜的相消干涉的具有更好的透射率，增加光的吸收，进而在P/N结处产生较多的光生电子，提高光电转换效率。
申请人：九州方园新能源股份有限公司
地址：443300 湖北省宜昌市宜都市红花套镇光伏产业园区
国籍：CN
代理机构：宜昌市三峡专利事务所
代理人：蒋悦
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