一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法及其产品[发明专利]

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专利名称：一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法及其产品专利类型：发明专利发明人：诸葛飞,曹鸿涛,陈浩申请号：CN201310445981.6申请日：20130926公开号：CN104513955A公开日：20150415

摘要：本发明公开了一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法，采用磁控溅射的方法，以富碳材料作为溅射靶材，以氮气或者氮气与氩气的混合气体作为溅射气氛，以金属、无机半导体材料或无机绝缘材料作为衬底制备氮掺杂碳膜，所述衬底温度为20～500℃；在真空、氮气气氛或惰性气氛中，在300～1000℃下，氮掺杂碳膜经热处理10秒～20小时后，得到所述的氮掺杂多孔碳薄膜材料。本方法无需模板，不消耗有机溶剂，简单易行；本方法制备的氮掺杂多孔碳薄膜材料具有N含量、孔尺寸可调的特点，N含量最高可达30%；本方法制备的N掺杂多孔碳薄膜的膜厚最小仅为数纳米，且可以实现大面积制备。

申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

地址：315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

国籍：CN

代理机构：杭州天勤知识产权代理有限公司

代理人：刘诚午

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