专利名称:一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法专利类型:发明专利发明人:徐强,蔡明
申请号:CN200810222116.4申请日:20080909公开号:CN101671817A公开日:20100317
摘要:本发明公开了一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法,对晶圆衬底依次进行稳定化处理、沉积处理、氢去除处理、净化处理和起片处理后,得到晶圆衬底上的薄膜,该方法还包括:在沉积处理和氢去除处理之间进行净化处理。本发明提供的方法在每次沉积晶圆的衬底上薄膜时,去除薄膜表面的氢含量,从而使得最终得到的晶圆衬底上薄膜的张应力增大。
申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址:100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号
国籍:CN
代理机构:北京德琦知识产权代理有限公司
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