硅加热元件[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：硅加热元件专利类型：发明专利

发明人：博日达·佐里奇,佩塔尔·比扬诺维奇,兹德拉夫科·本德

科维奇

申请号：CN91105300.X申请日：19910627公开号：CN1068006A公开日：19930113

摘要：一种硅加热元件，包括一个高导热性的电绝缘基底(A)，该基底(A)承载着一硅层(B)和电接点(C)，最好用氧化铍或氮化铝来制作基底(A)。硅层(B)由多晶或非晶硅组成，其中掺杂P型或N型半导体掺杂剂，最好掺杂浓度高于10/cm。电接点是耐高温的，并熔合到硅层(B)上。另外，电接点由一层与电绝缘基底(A)接触的耐熔金属接点层(C′)和一种熔合到接点层(C′)上的第二耐温材料(C″)组成。通过将多晶或非晶硅层(B)涂敷到高导热性的电绝缘基底(A) 上来制作硅加热元件。

申请人：比罗工程师企业公司

地址：列支敦士登沙恩

国籍：LI

代理机构：中国专利代理()有限公司

代理人：马崇德

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