专利名称：外延硅晶片的制造方法、外延硅晶片及固体摄像元
件的制造方法
专利类型：发明专利发明人：门野武,栗田一成申请号：CN201880083648.6申请日：20180824公开号：CN111771265A公开日：20201013
摘要：本发明提供一种能够获得具有高吸杂能力并且能够进一步抑制背面照射型固体摄像元件中的白色损伤缺陷的外延硅晶片的外延硅晶片的制造方法。本发明的特征在于，具有：第1工序，对硅晶片的表面(10A)照射使用伯纳型离子源或IHC型离子源所生成的CH的簇离子(12)，在硅晶片(10)内形成由簇离子(12)的构成元素即碳及氢固溶而成的改性层(14)，其中，n＝1或2，m＝1、2、3、4或5；以及第2工序，在第1工序之后，在表面(10A)上形成硅外延层(16)，第1工序中，使改性层(14)中的碳及氢的浓度分布的峰的位置分别为距离表面(10A)超过150nm且为2000nm以内。
申请人：胜高股份有限公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：杨戬
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