薄 膜 材 料 特 性
材料 熔点(度) 蒸发温度 蒸发方法 密度 G/CM3 折射率 透明区纳米 膜结构聚集密度P 牢固度 备注
AgBr 434 B 6.47 2.25(0.55UM) S
AgCL 455 790 B(Mo) 5.56 2.07(0.55UM)2.02(1UM) 0.4-30 S
As2S3 300 246 B(Mo,Ta)S 3.43 2.47(1.06UM)2.37(10UM) 0.58-10 无定形 M
As2Se3 B(Mo,Ta) 2.82(3.8UM) 无定形 M 毒
AL2O3 2020 2100 B(W)E 3.98 1.54(0.55M40度）1.62(0.55um300度） 0.2-8 无定形P为1.0 H 毒
ALF3 900 B 1.38(0.55um) 0.2-20 无定形P为0。64 S
Bi2O3 860 R(Pt) 8.3 2.45(0.55um) 0.4- FH
BiF3 727 B,C 5.32 1.47(1um)1.66(10um) 0.26-20 结晶 M
BaF2 1280 B 4.83 1.47(1um)1.4(8um)1.395(10um) 0.25-15
结晶P为0。91 M
B2O3 450 B(PT,MO) 2.46 1.61- T
BeO 2530 2230 B(W)E 3.01 1.72-1.73 H 毒
CaF2 1360 1280 B(W,TA,MO) 3.2 1.23-1.46(0.55um) 0.15-12 结晶P为0。57 FH
CeF3 1460 1350 B(W)E 6.16 1.63(0.55um)300du 0.3-5 结晶P为0。8 FH
CdS 1750 800 B(PT,TA) 4.8 2.5(0.6um)30du 0.55-7 结晶 SC
CdTe碲化
镉 1041 B(MO) 6.2 3.05(1um)2.66(10um) 0.97-30 H
CeO2 1950 1600 B(W)E 7.13 2.2(0.55um)20du2.38(0.55um)250du 0.4-12 结晶 H
CdSe 1350 700 B(W) 5.81 3.5(1um) 0.97- M
CaO 2850 2050 B(W)E 3.3 1.84- FH
CsBr 636 B(W,MO) 3.04 1.8(0.25um)1.67(3.3um) 0.23-40
S
CsI 626 B 4.51 1.787(0.55um) 0.25-60 S
Cr2O3 2275 1900 B(W)E 5.2 2.1(0.63um) FH
C金刚石 3700 2601 E 3.5 2.38(4um) H
Dy2O3 2340 E 2.0(0.29um350du)1.91(0.55um350du) 0.28- FH
Eu2O3 2050 E 1.88(0.7um350du) 0.34- FH
Fe2O3 1565 E 5.1 2.72(0.55um) 0.8- M
Ge褚 959 1600 B(C E 5.3 4.4(2um30du) 1.7-23 无定形300度 H
GaAs砷化镓 1238 850 E 5.34 3.2(5um) 0.9-18 M
Gd2O3 2340 2200 RS E 1.8(0.55um) 0.32-15 FH
HfO3 E RS 2.15(0.25um250du) 0.22-12 H
Ho2O3 2365 E 2.0(0.5um250du) 0.25- FH
InAs 943 双源 5.66 4.5- 3.8-7 S 毒性
InSb锑化铟 535 双源 5.77 4.3- 7`16 S 毒性
In2O3 R(W)E 7.18 2.0(0.5um) 0.32- H
LiF 870 B(MO,TA) 2.6 1.36(0.55um) 0.11-7 结晶 S
LaF3 1490 B(W.MO) 6 1.55(0.55um30du)1.65(0.55um300du) 0.2-10 结晶P为0。8 FH
La2O3 2000 1500 B(W)E 6.5 1.98(0.3um)1.88(0.55um) 0.3- 无定形 H
MgF2 1266 1540 B(W,TA,MO) 2.9 1.38(0.55um) 0.11-6 结晶P为0.72(30DU H
MgO 2800 2600 B(W,TA)E 3.58 1.7(0.55um50du) 0.2-8 结晶 H
NiO 2090 1580 B(AL2O3) 6.7 2.15- FH
NaF 992 988 B(MO) 2.8 1.29-1.20(0.55um) 0.2-14 结晶P为0.96(30DU S
Na3ALF6 1000 1000 B(MO,TA) 2.9 1.32-1.35(0.55um) 0.2-14
结晶 S
Nd2O3 1800 1900 B(W,MO)E 7.2 1.79(0.55um30du)2.05(0.55um260du) 0.24-10 H
NdF3 1410 1400 B(TA,MO) 1.61(0.55um300du) 0.22-6 结晶 M
PbTe碲化铅 971 850 B(TA) 8.16 5.6(5um) 3.4-30 S
PbCL2 501 B(PT,MO) 5.81 2.3(0.55um30du)2.0(10um) 0.3-14 M
PbF2 822 850 B(W,PT) 7.76 1.98(0.3um30du)1.75(0.55um30du) 0.24-20 BPBF2 S
PbO 900 300 B(PT) 9.5 2.6(0.55um) 0.53- 结晶 S
PbS 1112 675 B(W) 7.5 3.9-4.2 3月7日 S
Pr6O11 2200 B(W) 1.92-2.05(0.55UM) 0.4-10 无定形 FH
Se 1430 437 B(W,TA,MO) 4.3 2.45(2um) 0.8-20 FH
Sb2O3 656 400 B(PT,TA) 2.3(0.36um)2.0(0.55um) 0.3- S
Sb2S3 550 370 B(TA,MO) 4.1 3.0(0.55um) 0.5-10 S
SnO2 1127 B(W)E 6.96 2.0-2.1(0.55um) 0.4- P为0。95热处理 H
Sc2O3 2400 E R 1.89(0.55um) 0.35-13 无定形 FH
Si 1420 1500 E 2.33 3.4(3um) 1.0-9 无定形 FH
SiO 1700 1600 B(MO,TA,W) 2.24 1.55(0.55um30du)主成分Si2O3 0.4-9 无定形 H
SiO2 1700 1600 E 2.1 1.45-1.46(0.55um) 0.2-9 无定形 H
SrF3 1190 B(MO,W) 4.24 1.45(o.55um) 0.2-10 结晶 M
Sm2O3 1350 E 1.88(0.59um300du) 0.34- FH
Te 452 550 B(TA) 6.2 4.9(6um) 3.4-20 FH
TlCl 430 B(TA) 7 2.6(12UM) 0.4-30 S
TiO2 1850 2000 R
E 3.8-4.3 1.9(0.55um30du)2.3(0.55um220du) 0.4-10 无定形30度结晶大雨
100 H
Ta2O3 1800 2100 R E 8.2 2.16(0.55um250du) 0.35-10 无定形 FH
ThF4 1100 B(TA MO) 6.32 1.5(0.55um35du) 0.2-15 无定形 M 放射性
ThO2 2950 3050 E 9.69 1.86(0.55um250du) 0.3-6 无定形 H 放射性
YF3 B 1.45- 0.4- S
Y2O3 2410 2400 E R 5.01 1.87(0.55um250du) 0.3-12 无定形高温下结晶 H
Yb2O3 2346 1900 E 1.75(0.63um30du) 0.28- FH
ZnO 1100 B(W,MO 5.61 2.1(0.45um) 0.35-20 S
ZnS 1900 1100 B(TA,MO) 3.98 2.35(0.55um)2.16(10.6um) 0.4-14 结晶P大于0。94 M
ZnSe 1530 950 B(MO,TA) 5.42 2.58(0.633um)2.42(10.6um) 0.55-15 结晶 S
ZnTe 1000 B 2.8(0.55um) 结晶 S
ZrO2 2715 2700 E 5.49 1.97(0.55um30du)2.05(0.55um200du) 0.3-12 H
1：B为电阻加热，E为电子束，R为反应蒸发，S为溅射，RS为反应溅射
2：硬度，H为极硬，FH为硬，M为中等，S为软
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