专利名称：一种具有图形化结构的半导体激光器热沉及其制造
方法
专利类型：发明专利
发明人：蒋锴,李星宇,孙旺根,夏伟,唐文婧申请号：CN202010117958.4申请日：20200217公开号：CN111162448A公开日：20200515
摘要：一种具有图形化结构的半导体激光器热沉及其制造方法，通过在基体上下表面预先制备了立体图形结构阵列，大幅增加了基体材料的表面积和表面化学键能，提高了与基体材料接触的功能层、过渡金属层I及过渡金属层II的粘附性的粘附性，通过在立体图形结构阵列上制造功能层，有效的结合基体材料和功能层材料热导率或热膨胀系数各自特点，调节符合材料整体的热导率或热膨胀系数，保证与半导体激光器材料本身热失配小的前提下降低热沉材料的热阻，提高散热性能，保证了激光器光电性能和可靠性。
申请人：济南大学
地址：250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号
国籍：CN
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