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硅衬底上III族氮化物外延薄膜的选区生长方法及结构[发明专利]

来源：爱go旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：硅衬底上III族氮化物外延薄膜的选区生长方法及结

构

专利类型：发明专利

发明人：于彤军,冯晓辉,贾传宇,张国义申请号：CN201510050080.6申请日：20150130公开号：CN104637795A公开日：20150520

摘要：本发明公开了一种硅衬底上III族氮化物外延薄膜的选区生长方法及结构。本发明采用了碳纳米管阵列作为微米/纳米复合尺寸掩膜，可直接得到高质量的III族氮化物外延薄膜，在较小厚度内得到表面光亮，且高质量、低应力的III族氮化物外延薄膜；碳纳米管掩膜的制备具有工艺简单，成本低廉、环保、化学性质稳定、耐高温以及表面洁净度高等优点；还具有图形的尺寸、形状均灵活且精确可控的优点；还可以在外延薄膜中多次插入碳纳米管掩膜，以形成周期性碳纳米管掩膜结构，进一步提高III族氮化物外延薄膜的晶体质量，并且由于碳纳米管具有热导率高和电导率高等特点，因此对后续制得的微电子或光电子器件而言，可以起到散热及电流扩展等作用。

申请人：北京大学

地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号

国籍：CN

代理机构：北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：王岩

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