专利名称：半导体器件及其操作方法专利类型：发明专利发明人：安泳洙
申请号：CN201410339815.2申请日：20140716公开号：CN104821319A公开日：20150805
摘要：一种半导体器件，包括：沟道层；栅绝缘层，其形成在所述沟道层的表面上；单元栅图案，其沿着所述栅绝缘层形成；以及电迁移(EM)图案，其形成在所述单元栅图案中，并且能够通过在所述单元栅图案和所述沟道层之间形成的电场来移动。
申请人：爱思开海力士有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
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