专利名称：一种半导体元件及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：刘宇,康赐俊,邱泰玮,王丹云申请号：CN202010131752.7申请日：20200229公开号：CN111384081A公开日：20200707
摘要：本发明公开了一种半导体元件及其制备方法，所述半导体元件由以下部分组成，包括：下金属互联层，嵌入第一介电层内；RRAM结构单元，设置在所述下金属互联层上，所述RRAM结构单元包括由下而上依次沉积的底部电极、电介质层和顶部电极；所述底部电极与所述下金属互联层电连接；上金属互联层，设置在所述顶部电极上且与所述顶部电极连接。本发明实施例提供的半导体元件，由于将RRAM结构单元直接设置在上金属互联层和下金属互联层之间，且下金属互联层与底部电极连接，因此能够有效降低半导体元件存储区的高度，从而降低了半导体元件内部填充材料出现缝隙的风险。
申请人：厦门半导体工业技术研发有限公司
地址：361008 福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号
国籍：CN
代理机构：北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：张洋
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