专利名称：制造晶片级封装的方法及由此制造的晶片级封装专利类型：发明专利
发明人：金钟薰,金大元,崔亨硕,其他发明人请求不公开姓名申请号：CN201710195432.6申请日：20170329公开号：CN107546134A公开日：20180105
摘要：制造晶片级封装的方法及由此制造的晶片级封装。提供的是一种晶片级封装及其制造方法。可以通过在虚设晶片上布置第一半导体裸片并且形成模制层和模制覆盖层来形成重构基板。可以将第二半导体裸片堆叠在所述第一半导体裸片上并且可以形成光敏介电层。可以对穿透所述光敏介电层的导电通孔进行电镀。
申请人：爱思开海力士有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
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